[發(fā)明專利]感測兩個存儲器單元以確定一個數(shù)據(jù)值

有效

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• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113628672B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設計）人: F·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設備，其包括：

存儲器，其具有多個存儲器單元；及

電路系統(tǒng)，其經配置以通過以下操作來感測所述多個存儲器單元中的兩個存儲器單元中的每一個的存儲器狀態(tài)，以確定一個數(shù)據(jù)值，其中所述兩個存儲器單元中的每一個為其中單一材料用作選擇元件及存儲元件的自選存儲器單元：

在對應于第一存儲器狀態(tài)的第一閾值電壓分布與對應于第二存儲器狀態(tài)的第二閾值電壓分布之間的感測窗中使用第一感測電壓來感測所述兩個存儲器單元中的第一個的存儲器狀態(tài)；及

在所述感測窗中使用第二感測電壓來感測所述兩個存儲器單元中的第二個的存儲器狀態(tài)；

其中所述第一感測電壓及所述第二感測電壓在所述感測窗中選擇性地更靠近于所述第一閾值電壓分布或所述第二閾值電壓分布。

2.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述電路系統(tǒng)進一步經配置以通過以下操作來對所述一個數(shù)據(jù)值進行編程：

向所述第一存儲器單元施加第一電壓脈沖，其中所述第一存儲器單元將其存儲器狀態(tài)存儲為對應于所述一個數(shù)據(jù)值的預期數(shù)據(jù)值；且

向所述第二存儲器單元施加第二電壓脈沖，其中所述第二存儲器單元將其存儲器狀態(tài)存儲為對應于所述預期數(shù)據(jù)值的參考數(shù)據(jù)值。

3.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述第一感測電壓及所述第二感測電壓在所述感測窗中選擇性地更靠近于所述第一閾值電壓分布及所述第二感測電壓中的不同者。

4.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述電路系統(tǒng)經配置以通過以下操作來進一步確定所述一個數(shù)據(jù)值：

比較所述兩個存儲器單元中的每一個的所述所感測存儲器狀態(tài)；

通過確定所述所感測存儲器狀態(tài)為互補二進制存儲器狀態(tài)，來驗證所述第一存儲器單元的所述存儲器狀態(tài)為對應于所述一個數(shù)據(jù)值的預期數(shù)據(jù)值；及

通過確定所述所感測存儲器狀態(tài)匹配二進制存儲器狀態(tài)來確定所述兩個存儲器單元的所述存儲器狀態(tài)的切換。

5.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述所感測存儲器狀態(tài)包含所述多個存儲器單元的第一子組的與所述第一閾值電壓分布相關聯(lián)的存儲器狀態(tài)及所述多個存儲器單元的第二子組的與所述第二閾值電壓分布相關聯(lián)的存儲器狀態(tài)，其中所述第一子組的與所述第一閾值電壓分布相關聯(lián)的所述存儲器狀態(tài)的量級針對特定極性比所述第二子組的與所述第二閾值電壓分布相關聯(lián)的所述存儲器狀態(tài)的大，其中所述特定極性可選自正極性及負極性。

6.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述電路系統(tǒng)進一步經配置以：

與所述感測窗的具有極性的第一量級的一端相關聯(lián)地存儲所述第一存儲器單元的所述存儲器狀態(tài)；及

與所述感測窗的具有所述極性的第二量級的另一端相關聯(lián)地存儲所述第二存儲器單元的所述存儲器狀態(tài)；

其中所述極性可選自正極性及負極性，且其中所述第一量級不同于所述第二量級。

7.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述兩個存儲器單元中的每一個是電阻可變存儲器單元，所述電阻可變存儲器單元經配置以可選擇性地存儲所述第一存儲器狀態(tài)和所述第二存儲器狀態(tài)中的一個。

8.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述單一材料為硫屬化物材料。