[發(fā)明專利]感測兩個存儲器單元以確定一個數據值

有效

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• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113628672B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設計）人: F·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本公開包含用于感測兩個存儲器單元以確定一個數據值的設備、方法及系統(tǒng)。實施例包含具有多個存儲器單元的存儲器及經配置以感測兩個存儲器單元中的每一個的存儲器狀態(tài)以確定一個數據值的電路系統(tǒng)。通過以下操作來確定一個數據值：在對應于第一存儲器狀態(tài)的第一閾值電壓分布與對應于第二存儲器狀態(tài)的第二閾值電壓分布之間的感測窗中使用第一感測電壓來感測所述兩個存儲器單元中的第一個的所述存儲器狀態(tài)，且在所述感測窗中使用第二感測電壓來感測所述兩個存儲器單元中的第二個的所述存儲器狀態(tài)。所述第一感測電壓及所述第二感測電壓在所述感測窗中選擇性地更靠近于所述第一閾值電壓分布或所述第二閾值電壓分布。

技術領域

本公開大體來說涉及半導體存儲器及方法，且更特定來說，涉及感測兩個存儲器單元以確定一個數據值。

背景技術

存儲器裝置通常經提供作為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路及/或外部可裝卸式裝置。存在許多不同類型的存儲器，包含易失性及非易失性存儲器。易失性存儲器可需要電力來維持其數據，且可包含隨機存取存儲器(RAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)及同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)，以及其它。非易失性存儲器可通過在未供電時保留所存儲數據而提供永久數據，且可包含“與非”快閃存儲器、“或非”快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)，及電阻可變存儲器，例如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、磁性隨機存取存儲器(MRAM)，及可編程導電存儲器以及其它存儲器。

存儲器裝置可用作需要高存儲器密度、高可靠性及/或低功耗的廣泛電子應用中的易失性存儲器及非易失性存儲器。非易失性存儲器可用于例如個人計算機、便攜式存儲器棒、固態(tài)硬盤(SSD)、數碼相機、蜂窩式電話、例如MP3播放器的便攜式音樂播放器及電影播放器以及其它電子裝置中。

可變電阻存儲器裝置可包含電阻可變存儲器單元，其可基于存儲元件(例如，具有可變電阻的存儲器元件)的電阻狀態(tài)來存儲數據。如此，電阻可變存儲器單元可經編程以通過使存儲器元件的電阻電平變化而存儲對應于目標存儲器狀態(tài)的數據。電阻可變存儲器單元可通過將電場或能量源(例如正或負電脈沖(例如，正或負電壓或電流脈沖))施加到存儲器單元(例如，到存儲器單元的存儲器元件)達特定持續(xù)時間來經編程為目標存儲器狀態(tài)(例如，對應于特定電阻狀態(tài))。可通過響應于所施加詢問電壓感測穿過存儲器單元的電流來確定電阻可變存儲器單元的狀態(tài)。基于存儲器單元的電阻水平而變化的感測電流可指示存儲器單元的狀態(tài)。

可以交叉點架構來組織各種存儲陣列，其中存儲器單元(例如，電阻可變存儲器單元)位于用于存取存儲器單元的第一信號線與第二信號線的交點(例如，字線與位線的交叉點)處。一些電阻可變存儲器單元可包括與存儲元件(例如，相變材料、金屬氧化物材料及/或一些其它可編程為不同電平的材料)串聯(lián)的選擇元件(例如，二極管、晶體管或其它開關裝置)。一些電阻可變存儲器單元(其可被稱為自選存儲器單元)可包含單一材料，其可用作存儲器單元的選擇元件及存儲元件兩者。

發(fā)明內容

本公開的方面是針對一種設備，其具有兩個存儲器單元，用以確定一個數據值，所述設備包括：存儲器，其具有多個存儲器單元；及電路系統(tǒng)，其經配置以通過以下操作來感測所述多個存儲器單元中的兩個存儲器單元中的每一個的存儲器狀態(tài)，以確定一個數據值：在對應于第一存儲器狀態(tài)的第一閾值電壓分布與對應于第二存儲器狀態(tài)的第二閾值電壓分布之間的感測窗中使用第一感測電壓來感測所述兩個存儲器單元中的第一個的所述存儲器狀態(tài)；及在所述感測窗中使用第二感測電壓來感測所述兩個存儲器單元中的第二個的所述存儲器狀態(tài)；其中所述第一感測電壓及所述第二感測電壓在所述感測窗中選擇性地更靠近于所述第一閾值電壓分布或所述第二閾值電壓分布。