[發明專利]一種氧化銦錫蒸鍍靶材的制備方法

在審

• 申請號: 202110491264.1
• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113185279A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 張倍維;陸映東;王凱;梁盈祥;宋春華
• 申請（專利權）人: 廣西晶聯光電材料有限責任公司
• 主分類號: C04B35/457
• 分類號: C04B35/457;C04B35/622;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/08
• 代理公司: 柳州市榮久專利商標事務所(普通合伙) 45113
• 代理人: 韋微

本發明涉及一種氧化銦錫蒸鍍靶材的制備方法，包括以下步驟：（1）取凈化處理過的ITO靶材廢料進行破碎；（2）破碎后的粉料，用20?40目篩網過篩，未過篩網的較大碎顆粒回收，過篩網的粉料待用；（3）再將粉料用100?200目篩網過篩，未過篩網的粉料為粗顆粒，過篩網的粉料為細粉；（4）按粗顆粒、細粉體積比例5?8:2?4計，取粗顆粒、細粉與PVA水溶液混合；（5）造粒；（6）壓制成型；（7）燒結后得到氧化銦錫蒸鍍靶材。該方法利用ITO靶材廢料制成的粗顆粒作為骨料，細粉作為基質粉料，無需高溫鈍化處理，能耗低，工藝流程簡單，成本低，效率高，適合批量生產。

技術領域

本發明涉及一種蒸鍍靶材的制備方法，特別涉及一種氧化銦錫蒸鍍靶材的制備方法。

背景技術

發光二極管（LED），采用電場發光的固態半導體器件，這種直接把電能轉化成光能的電子器件，改變了傳統白熾燈高能耗、亮度低、壽命短等缺點，現廣泛應用于照明、顯示屏、通信、汽車等領域。

氧化銦錫靶材，即ITO靶材，具有良好的導電性和透過率，被用于激光蒸鍍和磁控濺射制備ITO導電薄膜。而LED發光二極管要求要有較高的熱穩定性和化學穩定性，采用多孔的低密度氧化銦錫靶材蒸鍍制作透明電極能達到此性能，且其高透過率使LED發光效率更好，更節能，所以目前大多數LED生產選擇ITO薄膜作為透明電極。

制作LED用透明ITO薄膜電極，需要使用激光束照射ITO蒸鍍靶材表面，使其揮發蒸鍍到基材表面，這就要求靶材要有高的耐熱性，多孔且具有足夠強度。低密度蒸鍍用ITO靶材現有公知的方法中，大多是對靶材前驅粉體混合造粒后煅燒鈍化處理，使其晶粒長大，活性降低，再進行摻脂造粒，模壓后燒結，燒結工藝繁雜，由于燒結前驅粉體活性不易控制，燒后靶材尺寸和密度不均勻。專利CN201210228241.2公布了一種低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，但其制作過程工序復雜，混料后需要再干燥壓制胚體，成型后需要脫水排脂，多次燒結能耗大，生產成本高，靶材密度不易控制。專利CN201910773128.4公布了一種低密度ITO靶材的制備方法，其回收粉需要高溫煅燒預處理，再用氫氧化銦漿料混合后，未造粒直接壓制成胚體燒結，采用此方法，易出現蒸鍍靶材內部孔洞少的情況，電子束高溫照射下蒸鍍，靶材散熱性不好，易開裂。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供一種氧化銦錫蒸鍍靶材的制備方法，該方法利用ITO靶材廢料制成的粗顆粒作為骨料，細粉作為基質粉料，無需高溫鈍化處理，能耗低，工藝流程簡單，成本低，效率高，適合批量生產。

解決上述技術問題的技術方案是：一種氧化銦錫蒸鍍靶材的制備方法，包括以下步驟：

（1）取凈化處理過的ITO靶材廢料進行破碎；

（2）破碎后的粉料，用20-40目篩網過篩，未過篩網的較大碎顆粒回收，過篩網的粉料待用；

（3）再將粉料用100-200目篩網過篩，未過篩網的粉料為粗顆粒，過篩網的粉料為細粉；

（4）按粗顆粒、細粉體積比5-8:2-4計，取粗顆粒、細粉與有機粘結劑混合，有機粘結劑的加入量為粗顆粒和細粉總重量的5-8%，所述有機粘結劑是含量為2-5%的PVA水溶液；

（5）均勻混合后的粉體用20-60目篩網過篩造粒；

（6）將造粒粉體裝入模具中壓制成型；

（7）將成型后的胚體放入常壓氧氛燒結爐中燒結，燒結溫度為1450-1650℃，保溫2-5h，得到氧化銦錫蒸鍍靶材。

進一步的，步驟（1）中，ITO靶材廢料凈化處理的具體操作是：將ITO靶材廢料在稀鹽酸中浸泡1.5-2.5小時后用純水洗凈，再烘干。

進一步的，步驟（1）中，破碎的具體操作是：將ITO靶材廢料放入破碎機中破碎1-5分鐘。

由于采用上述技術方案，本發明具有以下有益效果：