[發(fā)明專利]激光結(jié)晶設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110491254.8 | 申請日: | 2021-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN113611630A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林東彥;高正云;金炫真;柳塤澈;薛煐陳;溫吉容;李演學(xué);曹惠智 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 結(jié)晶 設(shè)備 | ||
本發(fā)明的實施例涉及一種激光結(jié)晶設(shè)備,所述激光結(jié)晶設(shè)備包括:多個激光發(fā)生器,所述多個激光發(fā)生器產(chǎn)生多個激光束;多個衰減器,所述多個衰減器調(diào)節(jié)所述多個激光束的能量強(qiáng)度;以及光學(xué)模塊,所述光學(xué)模塊使所述多個衰減器的輸出重疊以輸出線束。所述多個衰減器包括第一衰減器和第二衰減器,所述第一衰減器衰減所述多個激光束中的對應(yīng)激光束的所述能量強(qiáng)度,并且所述第二衰減器保持所述多個激光束中的對應(yīng)激光束的所述能量強(qiáng)度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例涉及一種激光結(jié)晶設(shè)備。
背景技術(shù)
薄膜晶體管用作諸如液晶顯示裝置或有機(jī)發(fā)光裝置的顯示裝置的開關(guān)元件。薄膜晶體管可以包括柵極電極、有源層、源極電極和漏極電極。有源層可以包括非晶硅或多晶硅。多晶硅具有比非晶硅的電遷移率特性高數(shù)十到數(shù)百倍的電遷移率特性。
可以通過沉積非晶硅并且然后使非晶硅結(jié)晶形成多晶硅。可以通過在熱爐中加熱非晶硅或者用激光照射非晶硅,使非晶硅結(jié)晶成多晶硅。在使用激光的結(jié)晶方法中,可以在相對低的溫度下持續(xù)相對短的時間進(jìn)行結(jié)晶。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的優(yōu)點和特征是提供一種能夠通過減小線束的長軸角分布改善結(jié)晶裕度和結(jié)晶均勻性的激光結(jié)晶設(shè)備。
然而,本發(fā)明的優(yōu)點和特征不限于在本文中闡述的優(yōu)點和特征。通過參考下面給出的本發(fā)明的詳細(xì)描述,本發(fā)明的上述和其它優(yōu)點和特征對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更明顯。
在本發(fā)明的實施例中,一種激光結(jié)晶設(shè)備包括:多個激光發(fā)生器,所述多個激光發(fā)生器產(chǎn)生多個激光束;多個衰減器,所述多個衰減器調(diào)節(jié)所述多個激光束的能量強(qiáng)度;以及光學(xué)模塊,所述光學(xué)模塊使所述多個衰減器的輸出重疊并且輸出線束。所述多個衰減器包括第一衰減器和第二衰減器,所述第一衰減器衰減所述多個激光束中的對應(yīng)激光束的所述能量強(qiáng)度,并且所述第二衰減器保持所述對應(yīng)激光束的所述能量強(qiáng)度。
在實施例中,所述第一衰減器可以包括透射和反射所述對應(yīng)激光束的第一衰減單元和第二衰減單元,并且所述第二衰減器可以包括保持所述對應(yīng)激光束的所述能量強(qiáng)度的第一板和第二板。
在實施例中,所述第一衰減單元可以相對于所述對應(yīng)激光束的行進(jìn)方向以預(yù)定角度傾斜,并且所述第二衰減單元可以相對于所述對應(yīng)激光束的所述行進(jìn)方向在與所述第一衰減單元相反的方向上以預(yù)定角度傾斜。
在實施例中,所述第一衰減器還可以包括:第一基體單元,所述第一基體單元支撐所述第一衰減單元;第二基體單元,所述第二基體單元支撐所述第二衰減單元;以及控制單元,所述控制單元連接到所述第一基體單元和所述第二基體單元中的每一個,并且使所述第一基體單元和所述第二基體單元在第一旋轉(zhuǎn)方向或與所述第一旋轉(zhuǎn)方向相反的第二旋轉(zhuǎn)方向上旋轉(zhuǎn)。
在實施例中,所述第二衰減器的所述第一板和所述第二板可以平行于所述對應(yīng)激光束的行進(jìn)方向布置,并且可以與所述對應(yīng)激光束的路徑間隔開預(yù)定距離。
在實施例中,所述第二衰減器還可以包括:第一基體單元,所述第一基體單元支撐所述第一板;以及第二基體單元,所述第二基體單元支撐所述第二板。所述第二衰減器的所述第一基體單元和所述第二基體單元可以被固定,使得所述第一板和所述第二板與所述對應(yīng)激光束間隔開。
在實施例中,所述多個激光發(fā)生器可以產(chǎn)生具有相同能量強(qiáng)度的激光束。
在實施例中,所述光學(xué)模塊可以包括:至少一個反射鏡,所述至少一個反射鏡反射所述對應(yīng)激光束的全部;至少一個分光鏡,所述至少一個分光鏡反射所述對應(yīng)激光束的一部分并且透射所述對應(yīng)激光束的另一部分;以及望遠(yuǎn)鏡透鏡,所述望遠(yuǎn)鏡透鏡放大由所述至少一個反射鏡反射或通過所述至少一個分光鏡的所述對應(yīng)激光束。
在實施例中,所述光學(xué)模塊還可以包括:均化器,所述均化器均衡穿過所述望遠(yuǎn)鏡透鏡的所述對應(yīng)激光束;以及多個圓柱形透鏡,所述多個圓柱形透鏡調(diào)節(jié)穿過所述均化器的所述對應(yīng)激光束的強(qiáng)度和焦距以輸出所述線束。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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