[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110488663.2 | 申請日： | 2021-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN113192841A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 嚴強生;卓明川;劉沖;陳宏 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有溝槽，所述襯底的表面和所述溝槽的側壁及底部依次形成有場氧化層和第一介質層，所述襯底的表面的所述場氧化層和所述第一介質層之間形成有研磨停止層，所述溝槽內(nèi)形成有屏蔽柵；
采用濕法刻蝕工藝去除部分所述場氧化層和部分所述第一介質層，以暴露所述屏蔽柵的上表面及部分側壁；以及，
去除部分所述研磨停止層，以暴露所述溝槽兩側的部分所述襯底的表面。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝中，所述場氧化層靠近所述溝槽的位置處形成有空洞。
3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，刻蝕部分所述研磨停止層暴露出的所述襯底的表面至少覆蓋所述空洞所在區(qū)域。
4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，采用回刻工藝刻蝕去除部分所述研磨停止層。
5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述回刻工藝的刻蝕劑為磷酸，所述刻蝕劑的濃度范圍為80％～90％，工藝溫度的范圍為150℃～170℃，工藝時間的范圍為30min～90min。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，去除部分所述研磨停止層之后還包括：
在暴露的所述襯底的表面形成保護層，所述保護層延伸覆蓋所述溝槽的側壁上的所述場氧化層。
7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述保護層的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
8.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述保護層之后，還包括：
在所述溝槽內(nèi)填充第二介質層并延伸覆蓋所述溝槽兩側的所述保護層及所述第一介質層；
進行平坦化處理，去除所述襯底的表面的部分所述第二介質層和所述研磨停止層上的所述第一介質層；
進行濕法刻蝕工藝去除所述研磨停止層、所述場氧化層和部分所述第二介質層，以暴露所述溝槽兩側的襯底。
9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，采用高密度等離子體化學氣相沉積工藝形成所述第二介質層。
10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述研磨停止層為氮化硅層。
11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體器件的制造方法用于制造SGT器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
