[發明專利]一種光罩曝光顯影工藝

在審

• 申請號: 202110488523.5
• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113126456A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 鄭永慶;張衡;陳宏淵
• 申請（專利權）人: 艾斯爾光電（南通）有限公司
• 主分類號: G03F7/32
• 分類號: G03F7/32;G03F7/30;G03F7/20
• 代理公司: 北京權智天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11638
• 代理人: 王新愛

本發明公開了一種光罩曝光顯影工藝，包括以下步驟：A、首先將光罩置于光罩載臺上，并通過負壓將光罩吸附固定于光罩載臺上；B、將光罩載臺通過多個氣缸頂緊；C、將曝光系統的光源通過聚光透鏡照射至光罩上且光源完全遮蓋光罩，對光罩進行曝光；D、將曝光后光罩放置于顯影液中進行顯影；E、將顯影后的光罩傾斜放置于光罩放置架上，并沖洗光罩，最后進行干燥，本發明采用的工藝操作簡單，能夠實現對光罩的均勻曝光和均勻顯影，提高了光罩加工質量。

技術領域

本發明涉及光罩加工技術領域，具體為一種光罩曝光顯影工藝。

背景技術

光罩(英文:Reticle, Mask):在制作IC的過程中，利用光蝕刻技術，在半導體上形成圖型，為將圖型復制於晶圓上，必須透過光罩作用的原理，類似于沖洗照片時，利用底片將影像復制至相片上。

光罩在制作過程中需要曝光，曝光之后進行顯影，而現有的曝光工藝曝光均勻性差，顯影均勻性差，影響光罩加工質量，因此，有必要進行改進。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光罩曝光顯影工藝，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種光罩曝光顯影工藝,包括以下步驟：

A、首先將光罩置于光罩載臺上，并通過負壓將光罩吸附固定于光罩載臺上；

B、將光罩載臺通過多個氣缸頂緊；

C、將曝光系統的光源通過聚光透鏡照射至光罩上且光源完全遮蓋光罩，對光罩進行曝光；

D、將曝光后光罩放置于顯影液中進行顯影；

E、將顯影后的光罩傾斜放置于光罩放置架上，并沖洗光罩，最后進行干燥。

優選的，所述步驟C中還包括光束結合器，所述曝光系統的光源通過光束結合器結合射出后在經過聚光透鏡進一步聚光后射出至光罩。

優選的，所述步驟D中顯影液組分按重量份數包括碳酸鈉4-10份、碳酸鉀4-10份、丙酮3-12份、酚醛甲醛樹脂14-24份、硼酸2-5份、偏硼酸鉀1-3份。

優選的，所述步驟D中光罩載顯影過程中不斷振蕩顯影液，同時控制顯影液溫度為35-40℃。

優選的，所述步驟E中沖洗時先采用噴淋的方式沖洗光罩表面，沖洗干凈后再將光罩放入流動的去離子水槽內沖洗，沖洗時間為50min-60min。

優選的，所述步驟E中采用低溫干燥，干燥溫度為60-70℃，時間為6min-10min。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明采用的工藝操作簡單，能夠實現對光罩的均勻曝光和均勻顯影，提高了光罩加工質量；其中，采用的顯影液能在光罩表面形成一層均勻的液膜，在顯影過程中能有效保證光罩各處的光刻膠均能和顯影液充分均勻反應，顯影均勻性更好。

具體實施方式

下面對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

實施例一：

本發明提供如下技術方案：一種光罩曝光顯影工藝,包括以下步驟：

A、首先將光罩置于光罩載臺上，并通過負壓將光罩吸附固定于光罩載臺上；

B、將光罩載臺通過多個氣缸頂緊；

C、將曝光系統的光源通過聚光透鏡照射至光罩上且光源完全遮蓋光罩，對光罩進行曝光；

D、將曝光后光罩放置于顯影液中進行顯影；

E、將顯影后的光罩傾斜放置于光罩放置架上，并沖洗光罩，最后進行干燥。