[發明專利]一種B4

有效

• 申請號: 202110488057.0
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113135576B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 李明偉;孫宇雷;董國華;張慶猛;鐘業盛;楊劍民;陳均優;史麗萍;赫曉東;張文治;何飛
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學;齊齊哈爾大學;有研工程技術研究院有限公司
• 主分類號: C01B35/02
• 分類號: C01B35/02
• 代理公司: 哈爾濱華夏松花江知識產權代理有限公司 23213
• 代理人: 侯靜

1.一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于它是按照以下方式進行的：

分別取B₄Si和B₆Si原粉體，分別加入體積百分含量為35%的雙氧水，分別加入濃鹽酸0.15 mL，攪拌后，靜置反應，再分別加入濃度為1~5 mol/L的KOH溶液，分別在溫度為30~90℃的條件下反應2~10h，分別趁熱用0.45 μm 有機微孔濾膜抽濾，分別用超純水洗至中性，分別置于真空干燥箱中干燥，分別得到粉末，即完成所述的B₄Si及B₆Si的提純；

其中，B₄Si或B₆Si原粉體、雙氧水和KOH溶液的質量體積比為5g： 30mL：40mL；

在對B₄Si提純時，攪拌10-30 min后，靜置反應2-4 h；在對B₆Si提純時，攪拌30 min后，靜置反應4 h。

2.根據權利要求1所述的一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于所述的KOH溶液濃度為2~4mol/L。

3.根據權利要求1所述的一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于所述的KOH溶液濃度為3~5mol/L。

4.根據權利要求1所述的一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于所述加入濃度為1~5mol/L的KOH溶液之后，反應溫度為50~70℃。

5.根據權利要求1所述的一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于所述加入濃度為1~5mol/L的KOH溶液之后，反應時間為4~8h。

6.根據權利要求1所述的一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于所述加入濃度為1~5mol/L的KOH溶液之后，反應時間為6~8h。

7.根據權利要求1所述的一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于真空干燥箱的干燥條件為70℃干燥8h。

8.根據權利要求1所述的一種B₄Si及B₆Si的提純方法，其特征在于所述的加入濃度為1~5 mol/L的KOH溶液之后，反應過程中進行攪拌。