[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110487852.8
• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113371669A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 劉瑋瑋;翁輝翔;許文政
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

本公開涉及半導體結構及其制造方法。通過設置用于壓制阻擋第一阻擋體和防水透氣膜的第二阻擋體，以解決防水透氣膜的脫層問題，提高了產品的良率。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體涉及半導體結構及其制造方法。

背景技術

微機電系統(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)，也叫做微電子機械系統、微系統、微機械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。

MEMS環境傳感器，例如MEMS麥克風、MEMS氣壓計、MEMS溫濕度計、MEMS氣體傳感器等。為了實現感測功能，MEMS環境傳感器必須暴露于環境中才能準確地感測周圍環境條件。而MEMS環境傳感器外露而導致無法具有防水功能。近年出現的便攜式(portable)產品，例如手表、手機等，都希望可以具有防水功能以增加泛用性并降低損壞率，所以現有產品系于MEMS環境傳感器上方設置防水結構(例如micro-hole film，微孔膜)以使達到IP67或IP68之防水等級的保護效果。然而，由于防水結構暴露于外，容易在后續封裝制程中出現脫層問題。

發明內容

本公開提供了半導體結構及其制造方法。

第一方面，本公開提供了一種半導體結構，該半導體結構包括：芯片；第一阻擋體，設于芯片的主動區域的周圍；防水透氣膜，設于第一阻擋體上；第二阻擋體，與防水透氣膜的上表面和側表面接觸。

在一些可選的實施方式中，第一阻擋體和/或第二阻擋體為壩狀或環狀。

在一些可選的實施方式中，第二阻擋體與第一阻擋體的側表面接觸。

在一些可選的實施方式中，防水透氣膜設有至少一個通孔。

在一些可選的實施方式中，通孔的直徑在1微米到2.8微米之間。

在一些可選的實施方式中，至少一個通孔在朝向芯片的方向上漸縮。

在一些可選的實施方式中，該半導體結構還包括：基板，芯片設于基板上。

在一些可選的實施方式中，該半導體結構還包括：導線，通過導線電性連接芯片與基板。

在一些可選的實施方式中，該半導體結構還包括：模封層，包覆芯片和導線。

在一些可選的實施方式中，模封層與第二阻擋體的側表面接觸。

在一些可選的實施方式中，模封層的高度大于第二阻擋體的高度，模封層部分覆蓋于第二阻擋體上。

在一些可選的實施方式中，模封層的高度小于第二阻擋體的高度，第二阻擋體的轉角呈圓弧態。

第二方面，本公開提供了一種半導體結構的制造方法，該方法包括：在芯片的主動區域的周圍設置第一阻擋體；在第一阻擋體上設置防水透氣膜；設置第二阻擋體，第二阻擋體與防水透氣膜的上表面和側表面接觸。

在一些可選的實施方式中，在在芯片的主動區域的周圍設置第一阻擋體之前，該方法還可以包括：提供基板；在基板上設置芯片。

在一些可選的實施方式中，該方法還包括：通過導線電性連接芯片與基板。

在一些可選的實施方式中，方法還包括：填入模封材，以形成包覆芯片和導線的模封層。

在一些可選的實施方式中，在芯片的主動區域的周圍設置第一阻擋體，包括：在芯片的主動區域的周圍以旋轉涂布的方式形成第一阻擋體。

在一些可選的實施方式中，設置第二阻擋體，包括：以旋轉涂布的方式形成第二阻擋體。

在一些可選的實施方式中，防水透氣膜設有至少一個通孔，至少一個通孔是以刻蝕開孔方式形成的。