[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110487852.8
• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113371669A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 劉瑋瑋;翁輝翔;許文政
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導體結構，包括：

芯片；

第一阻擋體，設于所述芯片的主動區域的周圍；

防水透氣膜，設于所述第一阻擋體上；

第二阻擋體，與所述防水透氣膜的上表面和側表面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一阻擋體和/或所述第二阻擋體為壩狀或環狀。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第二阻擋體與所述第一阻擋體的側表面接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述防水透氣膜設有至少一個通孔。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，所述通孔的直徑在1微米到2.8微米之間。

6.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，所述至少一個通孔在朝向所述芯片的方向上漸縮。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述半導體結構還包括：

基板，所述芯片設于所述基板上。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中，所述半導體結構還包括：

導線，通過所述導線電性連接所述芯片與所述基板。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其中，所述半導體結構還包括：

模封層，包覆所述芯片和所述導線。

10.根據權利要求9所述的半導體結構，其中，所述模封層與所述第二阻擋體的側表面接觸。

11.根據權利要求10所述的半導體結構，其中，所述模封層的高度大于所述第二阻擋體的高度，所述模封層部分覆蓋于所述第二阻擋體上。

12.根據權利要求10所述的半導體結構，其中，所述模封層的高度小于所述第二阻擋體的高度，所述第二阻擋體的轉角呈圓弧態。

13.一種制造半導體結構的方法，包括：

在芯片的主動區域的周圍設置第一阻擋體；

在所述第一阻擋體上設置防水透氣膜；

設置第二阻擋體，所述第二阻擋體與所述防水透氣膜的上表面和側表面接觸。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，在所述在芯片的主動區域的周圍設置第一阻擋體之前，所述方法還包括：

提供基板；

在所述基板上設置所述芯片。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，所述方法還包括：

通過導線電性連接所述芯片與所述基板。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述方法還包括：

填入模封材，以形成包覆所述芯片和所述導線的模封層。

17.根據權利要求13所述的方法，其中，所述在芯片的主動區域的周圍設置第一阻擋體，包括：

在所述芯片的主動區域的周圍以旋轉涂布的方式形成所述第一阻擋體。

18.根據權利要求13所述的方法，其中，所述設置第二阻擋體，包括：

以旋轉涂布的方式形成所述第二阻擋體。

19.根據權利要求13所述的方法，其中，所述防水透氣膜設有至少一個通孔，所述至少一個通孔是以刻蝕開孔方式形成的。