[發(fā)明專利]陣列基板制造方法及顯示面板制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110487442.3
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113206038B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉振;許哲豪;張合靜;周佑聯(lián);劉凱軍;鄭浩旋
• 申請（專利權(quán)）人: 北海惠科光電技術(shù)有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 晏波

本申請涉及顯示面板制造技術(shù)，公開了陣列基板制造方法及顯示面板制造方法，陣列基板制造方法包括：在基板上沉積遮光層、緩沖層、第一金屬層和歐姆接觸層；進(jìn)行第一次光罩制程，形成遮光層圖案、緩沖層圖案、第一金屬層圖案和歐姆接觸層圖案；在經(jīng)過第一次光罩制程后的基板上沉積有源層、絕緣層和第二金屬層；進(jìn)行第二次光罩制程，形成有源層圖案、絕緣層圖案和第二金屬層圖案；在經(jīng)過第二次光罩制程后的基板上沉積鈍化層；進(jìn)行第三次光罩制程，形成第一導(dǎo)電過孔，第二導(dǎo)電過孔和第三導(dǎo)電過孔以及氧化銦錫層圖案。顯示面板制造方法，采用了上述的陣列基板制造方法。本申請公開的陣列基板制造方法及顯示面板制造方法，工藝流程簡單，成本低廉。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示面板制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及陣列基板制造方法及顯示面板制造方法。

背景技術(shù)

在采用光刻的方法制造陣列基板時，光罩成本高，現(xiàn)有對陣列基板的制造，多采用四道、五道或者更多道的光罩，成本高昂。

上述內(nèi)容僅用于輔助理解本申請的技術(shù)方案，并不代表承認(rèn)上述內(nèi)容是現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的主要目的是提供陣列基板制造方法及顯示面板制造方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中制造成本高的技術(shù)問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請?zhí)岢龅年嚵谢逯圃旆椒ǎ撽嚵谢逯圃旆椒òㄈ缦虏襟E：

在基板上依次沉積遮光層、緩沖層、第一金屬層和歐姆接觸層；

對沉積有遮光層、緩沖層、第一金屬層和歐姆接觸層的基板進(jìn)行第一次光罩制程，以在基板上形成遮光層圖案、緩沖層圖案、第一金屬層圖案和歐姆接觸層圖案，并清除所述第一次光罩制程中形成的第一光刻膠圖案；

在經(jīng)過第一次光罩制程后的基板上依次沉積有源層、絕緣層和第二金屬層；

對沉積有有源層、絕緣層和第二金屬層的基板進(jìn)行第二次光罩制程，以在基板上形成有源層圖案、絕緣層圖案和第二金屬層圖案，并清除所述第二次光罩制程中形成的第二光刻膠圖案；

在經(jīng)過第二次光罩制程后的基板上沉積鈍化層；

對沉積有鈍化層的基板進(jìn)行第三次光罩制程，以在待形成薄膜晶體管的區(qū)域內(nèi)形成連通第一金屬層圖案的第一導(dǎo)電過孔，在待形成綁定模塊的區(qū)域內(nèi)形成連通第一金屬層圖案的第二導(dǎo)電過孔和連通第二金屬層圖案的第三導(dǎo)電過孔，以及在形成第一導(dǎo)電過孔、第二導(dǎo)電過孔和第三導(dǎo)電過孔后的基板上形成氧化銦錫層圖案，并清除所述第三次光罩制程中形成的第三光刻膠圖案。

可選地，采用半色調(diào)掩膜工藝進(jìn)行第一次光罩制成，形成的第一金屬層圖案包括待形成薄膜晶體管的區(qū)域內(nèi)的源極和漏極以及待形成綁定模塊的區(qū)域內(nèi)的第一綁定走線，源極和漏極由溝道分隔，第一導(dǎo)電過孔連通源極，第二導(dǎo)電過孔連通第一綁定走線。

可選地，第一次光罩制程中，包括步驟：

在歐姆接觸層表面涂布第一光刻膠層；

采用第一光罩，通過半色調(diào)掩膜使第一光刻膠層形成第一光刻膠圖案，其中，第一光刻膠圖案包括第一部分保留區(qū)、第一全保留區(qū)和第一全刻蝕區(qū)，第一部分保留區(qū)對應(yīng)待形成溝道的區(qū)域，第一全保留區(qū)對應(yīng)待形成源極、待形成漏極、待形成電容以及待形成綁定模塊的區(qū)域，第一全刻蝕區(qū)對應(yīng)除第一部分保留區(qū)和第一全保留區(qū)外的其他區(qū)域；

根據(jù)第一光刻膠圖案對歐姆接觸層、第一金屬層、緩沖層和遮光層進(jìn)行刻蝕，以在基板上形成遮光層圖案、緩沖層圖案、歐姆接觸層圖案以及第一金屬層圖案；

形成遮光層圖案、緩沖層圖案、歐姆接觸層圖案以及第一金屬層圖案后，清除第一光刻膠圖案。

可選地，根據(jù)第一光刻膠圖案對歐姆接觸層、第一金屬層、緩沖層和遮光層進(jìn)行刻蝕的步驟中，包括步驟：