[發明專利]陣列基板制造方法及顯示面板制造方法

有效

• 申請號: 202110487442.3
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113206038B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 劉振;許哲豪;張合靜;周佑聯;劉凱軍;鄭浩旋
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 晏波

1.一種陣列基板制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上依次沉積遮光層、緩沖層、第一金屬層和歐姆接觸層；

對沉積有所述遮光層、所述緩沖層、所述第一金屬層和所述歐姆接觸層的所述基板進行第一次光罩制程，以在所述基板上形成遮光層圖案、緩沖層圖案、第一金屬層圖案和歐姆接觸層圖案，并清除所述第一次光罩制程中形成的第一光刻膠圖案；

在經過所述第一次光罩制程后的所述基板上依次沉積有源層、絕緣層和第二金屬層；

對沉積有所述有源層、所述絕緣層和所述第二金屬層的所述基板進行第二次光罩制程，以在所述基板上形成有源層圖案、絕緣層圖案和第二金屬層圖案，并清除所述第二次光罩制程中形成的第二光刻膠圖案；

在經過所述第二次光罩制程后的所述基板上沉積鈍化層；

對沉積有所述鈍化層的所述基板進行第三次光罩制程，以在待形成薄膜晶體管的區域內形成連通所述第一金屬層圖案的第一導電過孔，在待形成綁定模塊的區域內形成連通所述第一金屬層圖案的第二導電過孔和連通所述第二金屬層圖案的第三導電過孔，以及在形成所述第一導電過孔、所述第二導電過孔和所述第三導電過孔后的所述基板上形成氧化銦錫層圖案，并清除所述第三次光罩制程中形成的第三光刻膠圖案。

2.如權利要求1所述的陣列基板制造方法，其特征在于，采用半色調掩膜工藝進行所述第一次光罩制成，形成的所述第一金屬層圖案包括待形成所述薄膜晶體管的區域內的源極和漏極以及待形成所述綁定模塊的區域內的第一綁定走線，所述源極和所述漏極由溝道分隔，所述第一導電過孔連通所述源極，所述第二導電過孔連通所述第一綁定走線。

3.如權利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一次光罩制程中，包括步驟：

在所述歐姆接觸層表面涂布第一光刻膠層；

采用第一光罩，通過半色調掩膜使所述第一光刻膠層形成所述第一光刻膠圖案，其中，所述第一光刻膠圖案包括第一部分保留區、第一全保留區和第一全刻蝕區，所述第一部分保留區對應待形成所述溝道的區域，所述第一全保留區對應待形成所述源極、待形成所述漏極、待形成電容以及待形成所述綁定模塊的區域，所述第一全刻蝕區對應除所述第一部分保留區和所述第一全保留區外的其他區域；

根據所述第一光刻膠圖案對所述歐姆接觸層、所述第一金屬層、所述緩沖層和所述遮光層進行刻蝕，以在所述基板上形成所述遮光層圖案、所述緩沖層圖案、所述歐姆接觸層圖案以及所述第一金屬層圖案；

形成所述遮光層圖案、所述緩沖層圖案、所述歐姆接觸層圖案以及所述第一金屬層圖案后，清除所述第一光刻膠圖案。

4.如權利要求3所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述根據所述第一光刻膠圖案對所述歐姆接觸層、所述第一金屬層、所述緩沖層和所述遮光層進行刻蝕的步驟中，包括步驟：

根據所述第一光刻膠圖案，對所述第一全刻蝕區內的所述歐姆接觸層、所述第一金屬層、所述緩沖層和所述遮光層進行第一次刻蝕；

所述第一次刻蝕完成后，對所述第一光刻膠圖案進行灰化，使由所述第一部分保留區遮蓋的區域暴露；

所述第一部分保留區遮蓋的區域暴露后，對所述第一全刻蝕區和所述第一部分保留區內的所述歐姆接觸層、所述第一金屬層、所述緩沖層和所述遮光層進行第二次刻蝕，以在所述基板上形成所述遮光層圖案、所述緩沖層圖案、所述歐姆接觸層圖案以及所述第一金屬層圖案。

5.如權利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，采用半色調掩膜工藝進行所述第二次光罩制成，形成的所述第二金屬層圖案包括待形成所述薄膜晶體管的區域內的柵極以及待形成所述綁定模塊的區域內的第二綁定走線，所述第三導電過孔連通所述第二綁定走線，所述第二導電過孔不穿過所述第二綁定走線。