[發(fā)明專利]一種聲表面波諧振器的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110483492.4 | 申請日： | 2021-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN113162580A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王放;宋崇希;邱魯巖;姚艷龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇卓勝微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/64 | 分類號： | H03H9/64;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 214072 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 表面波 諧振器 制作方法 | ||
1.一種聲表面波諧振器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一壓電襯底；
在所述壓電襯底一側(cè)制作叉指式換能器；
在所述叉指式換能器遠(yuǎn)離所述壓電襯底的一側(cè)形成溫度補(bǔ)償層，所述溫度補(bǔ)償層覆蓋所述叉指式換能器和所述壓電襯底，所述溫度補(bǔ)償層的厚度在目標(biāo)溫度補(bǔ)償層厚度的110％～120％之間，其中，所述溫度補(bǔ)償層包括第一補(bǔ)償區(qū)和第二補(bǔ)償區(qū)，所述第一補(bǔ)償區(qū)在所述壓電襯底上的垂直投影覆蓋所述叉指式換能器在所述壓電襯底上的垂直投影，所述第二補(bǔ)償區(qū)在所述壓電襯底上的垂直投影位于所述叉指式換能器的間隙中；
在所述溫度補(bǔ)償層遠(yuǎn)離所述壓電襯底的一側(cè)形成金屬膜層，其中，所述金屬膜層包括第一金屬區(qū)和第二金屬區(qū)，所述第一金屬區(qū)在所述壓電襯底上的垂直投影覆蓋所述叉指式換能器在所述壓電襯底上的垂直投影，所述第二金屬區(qū)在所述壓電襯底上的垂直投影位于所述叉指式換能器的間隙中；
去除所述第一金屬區(qū)；
去除部分第一補(bǔ)償區(qū)形成第三補(bǔ)償區(qū)，使所述第三補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面到所述壓電襯底的距離小于或等于所述第二補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面到所述壓電襯底的距離，同時(shí)所述第三補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面到所述壓電襯底的距離大于或等于所述目標(biāo)溫度補(bǔ)償層的厚度；
去除所述第二金屬區(qū)；
對所述第三補(bǔ)償區(qū)和所述第二補(bǔ)償區(qū)進(jìn)行處理，使處理后的第二補(bǔ)償區(qū)的厚度與所述目標(biāo)溫度補(bǔ)償層的厚度相等，且所述第三補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面與所述第二補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面平齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，采用化學(xué)機(jī)械平坦化處理的方法去除所述第一金屬區(qū)或者采用干法刻蝕的方法去除所述第一金屬區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述采用化學(xué)機(jī)械平坦化處理的方法去除所述第一金屬區(qū)包括：
將酸性拋光液與水按1:10的比例混合形成第一溶液；
采用所述第一溶液浸濕所述第一金屬區(qū)，對所述第一金屬區(qū)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理，直到露出所述第一補(bǔ)償區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬膜層的厚度小于第一距離，其中，所述第一距離是指所述第一補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面到所述壓電襯底的距離與所述第二補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面到所述壓電襯底的距離的差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除部分第一補(bǔ)償區(qū)形成第三補(bǔ)償區(qū)，使所述第三補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面低于所述第二金屬區(qū)靠近所述壓電襯底的表面或與所述第二金屬區(qū)靠近所述壓電襯底的表面平齊，同時(shí)所述第三補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面到所述壓電襯底的距離大于或等于所述目標(biāo)溫度補(bǔ)償層的厚度包括：
將堿性拋光液與水按1:20的比例混合形成第二溶液；
采用所述第二溶液浸濕所述第一補(bǔ)償區(qū)，對所述第一補(bǔ)償區(qū)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述第二金屬區(qū)的方法包括干法蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用拋光工藝或調(diào)頻工藝對所述第三補(bǔ)償區(qū)和所述第二補(bǔ)償區(qū)進(jìn)行處理，使處理后的第二補(bǔ)償區(qū)的厚度與所述目標(biāo)溫度補(bǔ)償層的厚度相等且所述第三補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面與所述第二補(bǔ)償區(qū)遠(yuǎn)離所述壓電襯底的表面平齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述壓電襯底的材料包括鉭酸鋰、鈮酸鋰或石英。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬膜層的材料包括鈦、鉻、銅、銀和鋁中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償層的材料包括二氧化硅、二氧化鍺或者氟氧化硅。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇卓勝微電子股份有限公司，未經(jīng)江蘇卓勝微電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110483492.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種包角焊接工藝
- 下一篇：全自動(dòng)軸承座組裝設(shè)備及方法
- 同類專利
- 專利分類
