[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110482818.1 | 申請日: | 2021-04-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113206034A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋玉華;董小彪;韓賽賽;王巖;姚志博 | 申請(專利權(quán))人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)移 裝置 方法 | ||
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法。所述轉(zhuǎn)移頭包括:襯底;多個(gè)轉(zhuǎn)移部,所述轉(zhuǎn)移部位于所述襯底上;所述轉(zhuǎn)移部包括遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的轉(zhuǎn)移結(jié)合面,所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面用于與所述芯片粘合;其中,所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片的結(jié)合力可調(diào)。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例能夠同時(shí)滿足芯片拾取和釋放對(duì)轉(zhuǎn)移頭的不同需求,提升了轉(zhuǎn)移頭的轉(zhuǎn)移能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,顯示方式由陰極射線顯像管(Cathode Ray Tube,CRT)、液晶顯示(Liquid Crystal Display)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示(Organic Light-EmittingDiode,OLED)逐漸發(fā)展至微發(fā)光二極管顯示(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)。
其中,Micro-LED顯示技術(shù)具有高亮度、高響應(yīng)速度、低功耗和長壽命等優(yōu)點(diǎn),成為新一代顯示技術(shù)的研究熱點(diǎn)。在制備Micro-LED顯示面板的工藝中,常用的技術(shù)有巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),具體采用轉(zhuǎn)移頭對(duì)Micro-LED芯片進(jìn)行拾取和釋放。然而,現(xiàn)有的轉(zhuǎn)移頭的轉(zhuǎn)移能力較差,無法同時(shí)滿足芯片拾取和釋放的需求,從而使得巨量轉(zhuǎn)移的良率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法,以同時(shí)滿足芯片拾取和釋放對(duì)結(jié)合力的不同需求,提升轉(zhuǎn)移頭的轉(zhuǎn)移能力。
為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
一種轉(zhuǎn)移頭,所述轉(zhuǎn)移頭用于對(duì)芯片進(jìn)行轉(zhuǎn)移,所述轉(zhuǎn)移頭包括:
襯底;
多個(gè)轉(zhuǎn)移部,所述轉(zhuǎn)移部位于所述襯底上;所述轉(zhuǎn)移部包括遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的轉(zhuǎn)移結(jié)合面,所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面用于與所述芯片粘合;其中,所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片的結(jié)合力可調(diào)。
可選地,所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的尺寸大小可調(diào),和/或所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的粘度可調(diào);
優(yōu)選地,所述轉(zhuǎn)移部的材料包括形狀記憶型高分子材料,以調(diào)整所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的大小;
優(yōu)選地,所述轉(zhuǎn)移部的材料包括粘度可調(diào)型高分子材料,以調(diào)整所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的粘度。
可選地,所述轉(zhuǎn)移部的材料包括電致變形材料;
優(yōu)選地,所述電致變形材料包括:熱致變形材料和導(dǎo)電材料;
優(yōu)選地,所述熱致變形材料包括:聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚異戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟樹脂、聚己酸內(nèi)酯和聚酰胺中的至少一種;
所述導(dǎo)電材料包括:導(dǎo)電炭黑、金屬粉末和導(dǎo)電高分子中的至少一種。
可選地,所述轉(zhuǎn)移部的材料包括熱致變形材料;
優(yōu)選地,所述熱致變形材料包括:聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚異戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟樹脂、聚己酸內(nèi)酯或聚酰胺中的至少一種;
優(yōu)選地,所述轉(zhuǎn)移頭還包括調(diào)溫部,所述調(diào)溫部位于所述襯底和所述轉(zhuǎn)移部之間;或者,所述調(diào)溫部位于所述襯底遠(yuǎn)離所述轉(zhuǎn)移部的一側(cè)。
可選地,所述轉(zhuǎn)移部的材料包括光致變形材料;
優(yōu)選地,所述光致變形材料包括高分子材料和光致變色基團(tuán);
優(yōu)選地,所述高分子材料包括:聚乙烯、聚異戊二烯、聚酯、共聚酯、聚酰胺、共聚酰胺和聚氨酯中的至少一種;
所述光致變色基團(tuán)包括:偶氮苯和螺苯并吡喃中的至少一種。
可選地,所述轉(zhuǎn)移部的材料包括化學(xué)感應(yīng)材料;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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