[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法

在審

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• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113206034A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋玉華;董小彪;韓賽賽;王巖;姚志博
• 申請（專利權(quán)）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京遠智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移頭用于對芯片進行轉(zhuǎn)移，所述轉(zhuǎn)移頭包括：

襯底；

多個轉(zhuǎn)移部，所述轉(zhuǎn)移部位于所述襯底上；所述轉(zhuǎn)移部包括遠離所述襯底一側(cè)的轉(zhuǎn)移結(jié)合面，所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面用于與所述芯片粘合；其中，所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片的結(jié)合力可調(diào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的尺寸大小可調(diào)，和/或所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的粘度可調(diào)；

優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括形狀記憶型高分子材料，以調(diào)整所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的大小；

優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括粘度可調(diào)型高分子材料，以調(diào)整所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的粘度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括電致變形材料；

優(yōu)選地，所述電致變形材料包括：熱致變形材料和導(dǎo)電材料；

優(yōu)選地，所述熱致變形材料包括：聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚異戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟樹脂、聚己酸內(nèi)酯和聚酰胺中的至少一種；

所述導(dǎo)電材料包括：導(dǎo)電炭黑、金屬粉末和導(dǎo)電高分子中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括熱致變形材料；

優(yōu)選地，所述熱致變形材料包括：聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚異戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟樹脂、聚己酸內(nèi)酯或聚酰胺中的至少一種；

優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)移頭還包括調(diào)溫部，所述調(diào)溫部位于所述襯底和所述轉(zhuǎn)移部之間；或者，所述調(diào)溫部位于所述襯底遠離所述轉(zhuǎn)移部的一側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括光致變形材料；

優(yōu)選地，所述光致變形材料包括高分子材料和光致變色基團；

優(yōu)選地，所述高分子材料包括：聚乙烯、聚異戊二烯、聚酯、共聚酯、聚酰胺、共聚酰胺和聚氨酯中的至少一種；

所述光致變色基團包括：偶氮苯和螺苯并吡喃中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括化學(xué)感應(yīng)材料；

優(yōu)選地，所述化學(xué)感應(yīng)材料包括：酸堿度感應(yīng)材料、平衡離子置換感應(yīng)材料、螯合反應(yīng)感應(yīng)材料、相轉(zhuǎn)變反應(yīng)感應(yīng)材料和氧化還原反應(yīng)感應(yīng)材料中的至少一種；

優(yōu)選地，所述化學(xué)感應(yīng)材料包括：部分皂化的聚丙烯酰胺、聚乙烯醇和聚丙烯酸混合物中的至少一種；

優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)移頭還包括光照部，所述光照部位于所述襯底和所述轉(zhuǎn)移部之間；或者，所述光照部位于所述襯底遠離所述轉(zhuǎn)移部的一側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移部的轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片上對應(yīng)的表面的形狀相同；

優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括形狀記憶型高分子材料，所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的尺寸大小可調(diào)；在大尺寸狀態(tài)下的所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片上對應(yīng)的表面大小相同，或大于所述芯片上對應(yīng)的表面；在小尺寸狀態(tài)下的所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面小于所述芯片上對應(yīng)的表面；

或者，所述轉(zhuǎn)移部的材料包括粘度可調(diào)型高分子材料，所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面的粘度可調(diào)，所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片上對應(yīng)的表面大小相同，或大于所述芯片上對應(yīng)的表面。

8.一種轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1-7任一項所述的轉(zhuǎn)移頭；

條件釋放模塊，用于向所述轉(zhuǎn)移頭提供預(yù)設(shè)條件，以改變所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片的結(jié)合力。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述條件釋放模塊包括：電壓模塊、調(diào)溫模塊、光照模塊和化學(xué)氣體模塊中的至少一種。

10.一種轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括：

提供轉(zhuǎn)移頭；所述轉(zhuǎn)移頭包括襯底和位于所述襯底上的多個轉(zhuǎn)移部，所述轉(zhuǎn)移部包括遠離所述襯底一側(cè)的轉(zhuǎn)移結(jié)合面；

采用所述轉(zhuǎn)移頭對位于供給基板上的芯片進行拾取，同時對所述轉(zhuǎn)移頭提供第一預(yù)設(shè)條件，以增大所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片的結(jié)合力；

所述轉(zhuǎn)移頭將拾取的所述芯片與背板電極進行對位和結(jié)合，同時對所述轉(zhuǎn)移頭提供第二預(yù)設(shè)條件，以減小所述轉(zhuǎn)移結(jié)合面與所述芯片的結(jié)合力，將所述芯片釋放至所述背板上；其中，所述第二預(yù)設(shè)條件與所述第一預(yù)設(shè)條件不同。