[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202110482479.7
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113224168B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 李樂
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

SOI襯底，包括自下向上的下層襯底、絕緣埋層和半導體層；

柵極層，形成于所述半導體層上，所述柵極層包括主柵和擴展柵，所述主柵兩側的半導體層中分別形成有源極區和漏極區，所述擴展柵至少從所述主柵向所述源極區方向延伸；

體接觸區，形成于所述源極區中，所述體接觸區從所述源極區向所述漏極區方向延伸至靠近所述擴展柵的一側與所述擴展柵在垂直所述SOI襯底方向上的投影接觸；以及，

柵極離子摻雜區，形成于所述柵極層中，所述柵極離子摻雜區從所述擴展柵的靠近所述體接觸區的一側至少延伸至所述主柵中，且在所述源極區指向所述漏極區的方向上，所述體接觸區與所述柵極離子摻雜區在垂直所述SOI襯底方向上的投影接觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述擴展柵至少從所述主柵向所述源極區方向延伸包括：

所述擴展柵從所述主柵向所述源極區方向延伸，以使得所述柵極層的形狀為T型；或者，所述擴展柵從所述主柵分別向所述源極區和所述漏極區方向延伸，以使得所述柵極層的形狀為十字型。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，當所述擴展柵從所述主柵分別向所述源極區和所述漏極區方向延伸時，所述柵極離子摻雜區從所述源極區一側的擴展柵延伸至所述漏極區一側的擴展柵上。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣埋層上形成有淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構包圍所述源極區和所述漏極區。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述主柵的兩端延伸至所述淺溝槽隔離結構上。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極層與所述半導體層之間形成有柵介質層。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極區與所述漏極區的導電類型相同，所述體接觸區與所述源極區的導電類型不同。

8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一SOI襯底，所述襯底包括自下向上的下層襯底、絕緣埋層和半導體層；

形成柵極層于所述半導體層上，所述柵極層包括主柵和擴展柵；

形成源極區和漏極區于所述主柵兩側的半導體層中，其中，所述擴展柵至少從所述主柵向所述源極區方向延伸；以及，

形成體接觸區于所述源極區以及形成柵極離子摻雜區于所述柵極層中，且所述體接觸區從所述源極區向所述漏極區方向延伸至靠近所述擴展柵的一側與所述擴展柵在垂直所述SOI襯底方向上的投影接觸，所述柵極離子摻雜區從所述擴展柵的靠近所述體接觸區的一側至少延伸至所述主柵中，且在所述源極區指向所述漏極區的方向上，所述體接觸區與所述柵極離子摻雜區在垂直所述SOI襯底方向上的投影接觸。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述擴展柵至少從所述主柵向所述源極區方向延伸包括：

所述擴展柵從所述主柵向所述源極區方向延伸，以使得所述柵極層的形狀為T型；或者，所述擴展柵從所述主柵分別向所述源極區和所述漏極區方向延伸，以使得所述柵極層的形狀為十字型。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，當所述擴展柵從所述主柵分別向所述源極區和所述漏極區方向延伸時，所述柵極離子摻雜區從所述源極區一側的擴展柵延伸至所述漏極區一側的擴展柵上。

11.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，采用同一道離子注入工藝同時形成所述體接觸區與所述柵極離子摻雜區。