[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110480443.5
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113192937A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 江盧山;孟懷宇;沈亦晨
• 申請（專利權）人: 杭州光智元科技有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/60;H01L21/50;G06E3/00
• 代理公司: 北京三環同創知識產權代理有限公司 11349
• 代理人: 趙勇;邵毓琴

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供基板；

提供多個電子集成電路EIC芯片；

提供至少一個光子集成電路PIC芯片，所述PIC芯片具有第一表面，所述至少一個光子集成電路PIC芯片中包括第一PIC芯片；

將多個EIC芯片設置在所述第一PIC芯片的第一表面上；

將設置有多個EIC芯片的第一PIC芯片安裝在所述基板上，所述第一PIC芯片的第一表面朝向所述基板。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供多個EIC芯片包括：

提供晶圓，在所述晶圓上確定待形成EIC芯片的多個區域，在各區域形成電子集成電路；

對所述晶圓進行減薄處理；

對所述晶圓進行切割，形成多個EIC芯片。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供多個EIC芯片包括：

確定所述半導體裝置的電子集成電路的總圖案，并將所述總圖案切分成多個子圖案；

提供晶圓；

在所述晶圓上確定待形成EIC芯片的多個區域；

按照所述多個子圖案在所述晶圓的多個EIC區域上分別形成子集成電路，并對該晶圓進行減薄處理；

按照所述多個EIC區域切割所述晶圓得到多個EIC芯片，使得所述多個EIC芯片的尺寸小于按照所述總圖案形成電子集成電路的EIC芯片的尺寸。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過第一鍵合結構將所述多個EIC芯片設置在所述第一PIC芯片的第一表面上。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，將設置有多個EIC芯片的第一PIC芯片安裝在所述基板上包括：

通過第二鍵合結構將所述第一PIC芯片安裝在所述基板上。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述EIC芯片相對于所述基板具有間隙。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，還包括：在所述間隙填充封裝材料。

8.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板；

電子集成電路EIC芯片；

光子集成電路PIC芯片，所述PIC芯片安裝在所述基板上，所述PIC芯片具有第一表面，所述第一表面朝向所述基板；

其中，多個所述EIC芯片設置在單個所述PIC芯片的第一表面上。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，包括多個第一鍵合結構，所述第一鍵合結構用于將所述EIC芯片與所述PIC芯片進行電連接。

10.如權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于，包括多個第二鍵合結構，所述多個第二鍵合結構用于將所述PIC芯片與所述基板進行電連接；至少一個EIC芯片的周圍設置有至少一個所述第二鍵合結構。

11.如權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于，包括多個第二鍵合結構，所述多個第二鍵合結構用于將所述PIC芯片與所述基板進行電連接；多個所述EIC芯片中包括第一EIC芯片、第二EIC芯片，所述第一EIC芯片、第二EIC芯片之間存在至少一個所述第二鍵合結構。

12.如權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述EIC芯片相對于所述基板具有間隙。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，所述間隙填充有封裝材料。