[發明專利]一種用于蝕刻半導體晶片的設備在審
| 申請號: | 202110480385.6 | 申請日: | 2021-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN113206028A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 王玨 | 申請(專利權)人: | 王玨 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 蝕刻 半導體 晶片 設備 | ||
本發明公開了一種用于蝕刻半導體晶片的設備,涉及半導體晶片加工設備技術領域,具體為一種用于蝕刻半導體晶片的設備,包括機殼、放置架,所述機殼的正面鉸接有柜門,所述機殼內腔的中部固定連接有蝕刻臺。該用于蝕刻半導體晶片的設備,通過第一斜齒輪、第二斜齒輪、旋轉桿、凸輪、彈簧、振動塊、連板和連桿的配合使用,轉軸轉動時帶動第一斜齒輪轉動,利用第一斜齒輪和第二斜齒輪的嚙合帶動旋轉桿和凸輪發生轉動,通過凸輪擠壓連板帶動振動塊在清洗槽和蝕刻槽的內腔中發生振動,從而帶動清洗液或蝕刻液振動,從而促進清洗液或蝕刻液與晶片的表面相接觸,提高了該用于蝕刻半導體晶片的設備的工作效率。
技術領域
本發明涉及半導體晶片加工設備技術領域,具體為一種用于蝕刻半導體晶片的設備。
背景技術
半導體制程制作出的晶片可廣泛地利用于各種應用領域中,晶片的良品率可以直接決定終端產品的質量,因此在晶片的材料以及制作方式上各界均投入大量研究以確保其質量,不論其為何種應用領域的晶片,均須經過多道加工制程后,才能獲得實際應用的電子組件或光電組件,晶片加工制程之一就是蝕刻去除晶片表面的氧化膜,隨著晶片加工難度及加工要求的提升及晶片的需求提升,出現了一種全自動蝕刻設備,以提升晶片蝕刻的效率及良率,對半導體晶片蝕刻的設備采用較多的方法是用含有氫氟酸的溶液浸泡晶體以去除表面氧化膜。
但是現有的用于蝕刻半導體晶片的設備是把晶片放到特定的筐子里,筐子放在蝕刻液里沒有加以晃動,晶片不能很好地與蝕刻液進行接觸,影響晶片蝕刻的質量,同時現有的用于蝕刻半導體晶片的設備在對晶片蝕刻處理后,需要使用另外的設備對晶片表面的蝕刻液進行處理,影響生產效率,達不到現今使用的要求,因此我們提出了一種用于蝕刻半導體晶片的設備。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提供了一種用于蝕刻半導體晶片的設備,解決了上述背景技術中提出的問題。
為實現以上目的,本發明通過以下技術方案予以實現:一種用于蝕刻半導體晶片的設備,包括機殼、放置架,所述機殼的正面鉸接有柜門,所述機殼內腔的中部固定連接有蝕刻臺,所述蝕刻臺的內部開設有清洗槽和蝕刻槽,所述蝕刻臺的中部且位于清洗槽、蝕刻槽的內腔設置有不完全齒輪,所述蝕刻臺的中部轉動連接有轉軸,所述轉軸與不完全齒輪活動套接,所述轉軸的表面固定套接有第一斜齒輪,所述轉軸的表面固定套接有第一皮帶輪,所述蝕刻臺中部的內側固定連接有固定套,所述固定套與轉軸活動套接,所述固定套的數量為兩個,兩個所述固定套的側面均轉動連接有支撐架,兩個所述固定套的側面均設置有扭簧,所述扭簧的一端與固定套固定連接,所述扭簧的另一端與支撐架的側面固定連接,所述放置架的兩端均固定連接有轉桿,兩個所述轉桿的一端分別固定連接有連接套,所述連接套的內部轉動連接有連接桿,所述連接桿的一端貫穿支撐架的內部且螺紋安裝有蝶形螺母,一個所述轉桿的表面固定套接有第二皮帶輪,所述第二皮帶輪通過皮帶與第一皮帶輪傳動連接,一個所述轉桿的表面固定套接有行星齒輪,所述行星齒輪與不完全齒輪相互嚙合,所述蝕刻臺的內部開設有間歇振動清洗液或蝕刻液振動的振動裝置。
可選的,所述振動裝置包括設置在蝕刻臺內部的傳動槽,所述傳動槽的內腔轉動連接有旋轉桿,所述旋轉桿的一端延伸至蝕刻臺的頂部且固定套接有第二斜齒輪,所述第二斜齒輪與第一斜齒輪相嚙合,所述旋轉桿的表面固定套接有凸輪,所述清洗槽與蝕刻槽的內壁均固定連接有彈簧,所述彈簧的一端固定連接有振動塊,所述振動塊的內側固定連接有連桿,所述連桿的一端活動套接至傳動槽的內腔且固定連接有連板,所述連板的側面與凸輪的側面相貼合。
可選的,所述機殼的內壁固定連接有電動伸縮桿,所述電動伸縮桿的輸出軸固定連接有推動板,所述推動板的側面固定連接有支撐板,所述支撐板的底部固定安裝有噴頭,所述支撐板的頂部固定安裝有風機,所述風機的輸出端與噴頭的一端固定連接,所述推動板的側面固定連接有接水槽,所述接水槽的內腔設置有吸水棉。
可選的,所述蝕刻臺的內部開設有第一進水槽,所述蝕刻臺的內部開設有第一進水孔,所述蝕刻臺的內部開設有第二進水槽,所述蝕刻臺的內部開設有第二進水孔,所述蝕刻臺的內部開設有第三進水槽,所述蝕刻臺的內部開設有第三進水孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





