[發(fā)明專利]TMR磁場傳感器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110479973.8 | 申請日: | 2021-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN113093070A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉明;關(guān)蒙萌;黃豪;胡忠強(qiáng);周子堯;朱家訓(xùn) | 申請(專利權(quán))人: | 珠海多創(chuàng)科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/10 | 分類號: | G01R33/10;G01R33/09 |
| 代理公司: | 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291 | 代理人: | 楊煥軍 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | tmr 磁場 傳感器 | ||
TMR磁場傳感器,包括連接成全橋電路的TMR單元,全橋電路的每一個橋臂上均設(shè)置有一個TMR單元,相鄰橋臂上的TMR單元的對外磁場敏感方向相反,相對橋臂上的TMR單元的對外磁場敏感方向相同,兩個供電端子中一個接電源,另一個接地;至少一個負(fù)電容電路,負(fù)電容電路與某一橋臂上的TMR單元并聯(lián),負(fù)電容電路的一端與接地的供電端子相連、另一端與一個輸出端子相連,負(fù)電容電路兩端的等效電容和與其并聯(lián)的TMR單元的寄生電容的符號相反。本發(fā)明在TMR磁場傳感器中設(shè)置和TMR單元并聯(lián)的負(fù)電容電路,通過負(fù)電容電路補(bǔ)償推挽全橋電路的寄生電容,進(jìn)而補(bǔ)償推挽全橋電路的寄生電容,實現(xiàn)TMR磁場傳感器的測量頻率范圍的拓展。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于傳感測量技術(shù)領(lǐng)域,尤指涉及一種TMR磁場傳感器。
背景技術(shù)
TMR元件是一種新型的磁電阻效應(yīng)傳感器,其相較于AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率、更好的溫度特性和線性度等優(yōu)點,在工業(yè)環(huán)境中得到了廣泛應(yīng)用。TMR磁場傳感器的輸出靈敏度受到自身測量頻率范圍的限制,當(dāng)測量頻率范圍在TMR磁場傳感器的工作頻率范圍內(nèi)時,TMR磁場傳感器的輸出靈敏度衰減可在-3dB以下,變化的磁場信號能夠被較好地還原,而當(dāng)測量頻率范圍超出TMR磁場傳感器的工作頻率范圍時,TMR磁場傳感器的輸出靈敏度衰減就會超過-3dB,從而導(dǎo)致測量變化磁場信號的失真。TMR磁場傳感器的可測量磁場頻率范圍和靈敏度主要受TMR磁傳感器芯片的寄生電容、TMR元件的電阻值、傳感器的電路結(jié)構(gòu)等因素的影響。為了提高TMR磁場傳感器的磁場測量范圍,人們提出了如優(yōu)化芯片的版圖布局、減小TMR元件的電阻值以及改變TMR傳感器的電路結(jié)構(gòu)等多種方法,但這些方法在應(yīng)用中仍存在局限。
通過優(yōu)化芯片的版圖布局,減小線路和元件之間的寄生電容可以擴(kuò)展TMR磁場傳感器的工作頻率范圍,從而拓寬TMR磁場傳感器的磁場測量頻率范圍。但是TMR磁傳感器的芯片版圖尺寸已經(jīng)是微米級別,通過優(yōu)化版圖來減小寄生電容的作用有限,對TMR磁場傳感器測量頻率的提升也有限。
通過減小TMR單元的電阻值來拓展TMR磁場傳感器的測量磁場頻率范圍主要是通過調(diào)節(jié)TMR單元的材料配方,通過獲取不同RA值的材料來得到不同阻值的TMR單元。RA值是指TMR單元材料的電阻*面積值,在材料配方不變的情況下RA值是固定值,材料的RA值越小,在厚度不變的情況下可以得到更小的電阻值。而TMR材料配方還有另一個衡量指標(biāo)——TMR值,TMR值是指TMR電阻值在磁場中的變化量與最小電阻值的比值,即(最大電阻值-最小電阻值)/最小電阻值,通常希望獲得較高的TMR值。在傳感器其它結(jié)構(gòu)不變的情況下,TMR單元的阻值越小,其所形成的TMR磁場傳感器的工作頻率范圍就越大。但由于需要更改TMR單元的材料配方,可能存在材料的RA值和TMR值不兼容的風(fēng)險,所選配方要同時滿足較高的TMR值以及較小的RA值會增加研發(fā)成本。另一方面,減小TMR元件的電阻值就要求降低TMR磁傳感器的外加工作電壓,以避免工作電流過大,而降低TMR磁傳感器的工作電壓會造成TMR磁傳感器的輸出信號幅值減小,不利于TMR磁場傳感器的應(yīng)用。
改變傳感器的電路結(jié)構(gòu)也可以拓寬TMR磁場傳感器的測量磁場頻率范圍,如將TMR單元連接成單橋電路,單橋電路相較于全橋電路結(jié)構(gòu)更簡單,因此相比于全橋電路也具有更少的寄生電容,寄生電容越小,TMR磁場傳感器的工作頻率范圍就越大,從而具有更寬的頻率測量范圍。但單橋電路相比于推挽全橋結(jié)構(gòu),靈敏度較低,僅為全橋TMR磁場傳感器的一半。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種測量頻率范圍寬的TMR磁場傳感器。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取如下的技術(shù)解決方案:
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