[發(fā)明專利]TMR磁場傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110479973.8
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113093070A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 劉明;關蒙萌;黃豪;胡忠強;周子堯;朱家訓
• 申請（專利權）人: 珠海多創(chuàng)科技有限公司
• 主分類號: G01R33/10
• 分類號: G01R33/10;G01R33/09
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍

1.TMR磁場傳感器，包括連接成全橋電路的TMR單元，全橋電路的每一個橋臂上均設置有一個TMR單元，相鄰橋臂上的TMR單元的對外磁場敏感方向相反，相對橋臂上的TMR單元的對外磁場敏感方向相同，全橋電路的4個橋臂兩兩相交，共形成4個交點，兩個供電端子設置在兩個相對的交點處，兩個輸出端子設置在另外兩個相對的交點處，兩個供電端子中一個接電源，另一個接地；

其特征在于：

還包括至少一個負電容電路，一個負電容電路與全橋電路中一個橋臂上的TMR單元并聯(lián)，所述負電容電路的一端與接地的供電端子相連、另一端與輸出端子相連，所述負電容電路兩端的等效電容和與其并聯(lián)的TMR單元的寄生電容的符號相反。

2.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述負電容電路的等效電容值為與其并聯(lián)的TMR單元的寄生電容值的0.5～5倍。

3.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述負電容電路包括運算放大器、第一電阻、第二電阻以及電容；所述運算放大器的反相輸入端和一個輸出端子相連，同時運算放大器的反相輸入端經(jīng)所述第一電阻和運算放大器的輸出端相連，運算放大器的同相輸入端經(jīng)所述電容和接地的供電端子相連，同時運算放大器的同相輸入端還經(jīng)所述第二電阻與運算放大器的輸出端相連。

4.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：每一個TMR單元分別與一個所述負電容電路并聯(lián)，所述負電容電路的一端和與其并聯(lián)的TMR單元的與輸出端子連接的一端相連，另一端和與其并聯(lián)的TMR單元的與供電端子連接的一端相連。

5.如權利要求4所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述負電容電路包括運算放大器、第一電阻、第二電阻以及電容；所述運算放大器的反相輸入端和與其并聯(lián)的TMR單元的與輸出端子連接的一端相連，同時運算放大器的反相輸入端經(jīng)所述第一電阻和運算放大器的輸出端相連，運算放大器的同相輸入端經(jīng)所述電容和與其并聯(lián)的TMR單元的與供電端子連接的一端相連，同時運算放大器的同相輸入端還經(jīng)所述第二電阻與運算放大器的輸出端相連。

6.如權利要求3或5所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述第一電阻和所述第二電阻的電阻值相等或不相等。

7.如權利要求3或5所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述第一電阻和所述第二電阻為固定阻值電阻或可調電阻器。

8.如權利要求3或5所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述第一電阻和所述第二電阻的帶寬在GHz以下；和/或所述電容為固定容值的電容或為可調電容器。

9.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述負電容電路與所述TMR單元集成在一起。

10.如權利要求1所述的TMR磁場傳感器，其特征在于：所述運算放大器的帶寬大于TMR磁場傳感器的帶寬。