[發明專利]制備過表達外源基因的細胞的方法

在審

• 申請號: 202110479724.9
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113583953A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 金華君;許馥慧;黃晨;馬星明
• 申請（專利權）人: 上海君賽生物科技有限公司
• 主分類號: C12N5/078
• 分類號: C12N5/078;C12N1/10
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 韋東

1.cGAS-STING信號通路抑制劑在培養電轉細胞中的應用；優選地，所述cGAS-STING信號通路抑制劑選自能夠抑制STING表達和/或結合活性的或降低或消除線粒體膜電勢的小分子化合物和能夠抑制或拮抗cGAS的小分子化合物中的任一種或兩種；優選地，所述細胞為免疫效應細胞；優選地，所述能夠抑制STING表達和/或結合活性的或降低或消除線粒體膜電勢的小分子化合物為如式5所示化合物H-151；優選地，所述能夠抑制或拮抗cGAS的小分子化合物為如式22所示化合物G150，

2.一種培養電轉細胞的方法，其特征在于，所述方法包括在含有cGAS-STING信號通路抑制劑的培養基中培養電轉后的細胞的步驟；優選地，所述cGAS-STING信號通路抑制劑選自能夠抑制STING表達和/或結合活性的或降低或消除線粒體膜電勢的小分子化合物和能夠抑制或拮抗cGAS的小分子化合物中的任一種或兩種；優選地，所述能夠抑制STING表達和/或結合活性的或降低或消除線粒體膜電勢的小分子化合物為如式5所示化合物H-151；所述能夠抑制或拮抗cGAS的小分子化合物為如式22所示化合物G150；優選地，所述細胞為免疫效應細胞。

3.根據權利要求2所述方法，其特征在于，所述方法包括，電轉結束后，將電轉的細胞轉入培養基中培養0-5小時，然后在所述培養基中加入所述cGAS-STING信號通路抑制劑，繼續培養；優選地，加入所述cGAS-STING信號通路抑制劑后，其在培養基中的終濃度在0.5-5μM的范圍；更優選地，在0.5-1μM的范圍或在2.5-5μM的范圍。

4.根據權利要求2所述方法，其特征在于，所述免疫效應細胞選自T細胞、TIL、NK細胞、NK T細胞、CAR-T細胞、CIK細胞、TCR-T細胞和巨噬細胞中的一種或多種；優選地，選自T細胞、TIL和CAR-T細胞中的一種或多種。

5.根據權利要求2所述方法，其特征在于，所述培養基為細胞培養基，優選為用于培養免疫效應細胞的培養基；優選地，選自CTS^TM無血清細胞培養基、DMEM培養基和RPMI1640培養基中的任一種；更優選為CTS^TM無血清細胞培養基。

6.一種電轉制備過表達外源基因的細胞的方法，其特征在于，所述方法包括：

1)通過電轉向細胞中導入含有表達外源基因的核酸；

2)用含有cGAS-STING信號通路抑制劑的培養基培養步驟1)中電轉了外源基因的細胞；

其中，培養電轉的細胞0-5h；優選地0-1h，然后在所述培養基中加入所述cGAS-STING信號通路抑制劑；優選地，加入所述cGAS-STING信號通路抑制劑后，其在培養基中的終濃度在0.5-5μM的范圍；更優選地，在0.5-1μM的范圍或在2.5-5μM的范圍；

優選地，所述cGAS-STING信號通路抑制劑選自能夠抑制STING表達和/或結合活性的或降低或消除線粒體膜電勢的小分子化合物和能夠抑制或拮抗cGAS的小分子化合物中的任一種或兩種；

優選地，所述細胞為免疫效應細胞。

7.根據權利要求6所述方法，其特征在于，所述能夠抑制STING表達和/或結合活性的或降低或消除線粒體膜電勢的小分子化合物為如式5所示化合物H-151；

和/或，所述能夠抑制或拮抗cGAS的小分子化合物為如式22所示化合物G150；

和/或，所述免疫效應細胞選自T細胞、TIL、NK細胞、NK T細胞、CAR-T細胞、CIK細胞、TCR-T細胞和巨噬細胞中的一種或多種；

和/或，所述培養基為用于培養免疫效應細胞的培養基，如選自CTS^TM無血清細胞培養基、DMEM培養基和RPMI1640培養基中的任一種。