[發明專利]緊致有序自支撐MOFs電極的制備方法有效
| 申請號: | 202110479700.3 | 申請日: | 2021-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN113178342B | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發明(設計)人: | 楊文耀;程正富;伏春平;夏繼宏;張曉宇;李毅;徐建華;楊邦朝 | 申請(專利權)人: | 重慶文理學院 |
| 主分類號: | H01G11/86 | 分類號: | H01G11/86;H01G11/30;H01G11/24 |
| 代理公司: | 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 蒙捷 |
| 地址: | 402160 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有序 支撐 mofs 電極 制備 方法 | ||
1.緊致有序自支撐MOFs電極的制備方法,其特征在于,包括:
S1、在柔性PE膜上壓緊聚四氟乙烯掩膜板,旋涂聚苯乙烯微球水溶液,旋涂的次數為2~5次;在60℃的溫度下進行烘干,烘干的時間為0.5~2h,獲得具有叉指結構的聚苯乙烯微球薄膜,記為薄膜A;薄膜A的厚度根據旋涂次數以及聚苯乙烯微球水溶液的濃度共同決定;
S2、將0.001~0.01mol六水硝酸鈷溶于40ml甲醇和40ml乙醇的混合溶液中,反應30min以上,得到溶液A;采用噴涂法將1~2ml溶液A噴涂到薄膜A,使得溶液A均勻覆蓋滲透到聚苯乙烯微球孔隙中,獲得被溶液A均勻滲透覆蓋后的具有叉指結構的聚苯乙烯微球/硝酸鈷薄膜,記為薄膜B;
S3、將0.004~0.04mol甲基咪唑和0.0003~0.003mol芐基三甲基溴化銨溶于40ml甲醇和40ml乙醇的混合溶液中,攪拌30min以上,得到溶液B;采用噴涂法將1~2ml溶液B噴涂到薄膜B,使得溶液B均勻覆蓋滲透到聚苯乙烯微球/硝酸鈷薄膜,獲得溶液B均勻滲透覆蓋后的具有叉指結構的聚苯乙烯微球/硝酸鈷/甲基咪唑薄膜,記為薄膜C;
S4、將薄膜C放置在抽風櫥內,先在25℃的溫度下放置1~2h,后在40℃的溫度下放置0.5~1h;再將薄膜C放置在真空中,從40℃升溫至100℃,并在100℃的溫度下恒溫保持0.5~1h;
S5、重復S2~S4 的步驟3~5次,撤除掩膜板;
S6、將薄膜C放置在真空中,并在60℃的溫度下保持24h,以獲得聚苯乙烯微球/MOFs叉指電極,記為叉指電極A;
S7、用去離子水以及乙醇浸泡叉指電極A,清洗2~3次;并將叉指電極A放置在真空中,在60℃的溫度下保持0.5~1h,去除乙醇;
S8、將叉指電極A,也即聚苯乙烯微球/MOFs叉指電極,放置在二氯甲烷溶液中,超聲2~10min,溶解聚苯乙烯微球與PE膜,獲得多孔均勻致密的MOFs自支撐薄膜,也即自支撐MOFs電極。
2.如權利要求1所述的緊致有序自支撐MOFs電極的制備方法,其特征在于,S1中,聚苯乙烯微球水溶液的粒徑為500nm~2um,摩爾濃度為1~2.5%。
3.如權利要求2所述的緊致有序自支撐MOFs電極的制備方法,其特征在于,S1中,薄膜A的厚度為10~100μm。
4.如權利要求3所述的緊致有序自支撐MOFs電極的制備方法,其特征在于,S2中,壓力源為氮氣,采用氮氣將1~2ml溶液A噴涂到薄膜A;S3中,壓力源為氮氣,采用氮氣將1~2ml溶液B噴涂到薄膜B。
5.如權利要求4所述的緊致有序自支撐MOFs電極的制備方法,其特征在于,噴涂完溶液A馬上噴涂溶液B。
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