[發(fā)明專利]太赫茲能量芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110477625.7
• 申請(qǐng)日: 2021-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN113580678A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許小平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 許小平
• 主分類號(hào): B32B9/00
• 分類號(hào): B32B9/00;B32B9/04;B32B15/00;B32B33/00;B32B7/06;B32B7/08;H01S1/02;A61N5/00
• 代理公司: 廣東有知貓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44681
• 代理人: 崔新芬

本發(fā)明公開了七脈輪太赫茲能量芯片，涉及能量芯片技術(shù)領(lǐng)域，包括內(nèi)層和外層；內(nèi)層包括襯底層、反鐵磁性釘扎層、經(jīng)釘扎層、氧化物勢(shì)壘層、第一金屬層和防水膜，防水膜的四側(cè)邊沿對(duì)應(yīng)密封安裝在襯底層的外側(cè)表面，反鐵磁性釘扎層、經(jīng)釘扎層、氧化物勢(shì)壘層、第一金屬層密封連接在襯底層和防水膜之間，襯底層的外側(cè)表面固定安裝有母魔術(shù)貼，母魔術(shù)貼設(shè)置在防水膜的外側(cè)；外層包括鐵磁層、第二金屬層和覆蓋層，覆蓋層的內(nèi)側(cè)表面固定安裝有子魔術(shù)貼，子魔術(shù)貼設(shè)置在第二金屬層的外側(cè)，母魔術(shù)貼和子魔術(shù)貼之間形成可拆卸連接；反鐵磁性釘扎層和鐵磁層上均設(shè)置有平面方向的磁場(chǎng)，第一金屬層、鐵磁層、第二金屬層之間構(gòu)成太赫茲波發(fā)射的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及能量芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及太赫茲能量芯片。

背景技術(shù)

THz波（太赫茲波）是指頻率在0.1THz到10THz范圍、波長(zhǎng)大概在0.03到3mm之間的電磁波，介于微波與紅外之間。太赫茲主要有改善人體磁場(chǎng)、增強(qiáng)細(xì)胞活性、促進(jìn)新陳代謝、延緩衰老等功效和作用。太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源,其應(yīng)用十分廣泛。

使用太赫茲波放射到七輪上能夠促使構(gòu)成細(xì)胞的體內(nèi)酵素、DNA、酶和其它有機(jī)高分子的振動(dòng)活躍化，從而強(qiáng)化DNA的修復(fù)機(jī)制，使細(xì)胞活性化，促進(jìn)毛細(xì)血管的微循環(huán)，進(jìn)而提高體溫，增強(qiáng)人體免疫功能，進(jìn)而達(dá)到保健的目的。

市面上的太赫茲能量芯片一般鑲嵌安裝于衣服、鞋等隨身物品中；在中國(guó)的授權(quán)發(fā)明專利中（公告號(hào)：CN109300922A，申請(qǐng)日：2018.10.15）公開了一種基于電子自旋的高效太赫茲發(fā)射芯片及其制作方法，其利用逆自旋霍爾效應(yīng)在設(shè)計(jì)的有鐵磁釘扎層的復(fù)合膜結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生強(qiáng)太赫茲輻射；但是卻存在無(wú)法控制太赫茲波啟閉的問題，太赫茲能量芯片處于長(zhǎng)期開啟太赫茲波的狀態(tài)，導(dǎo)致太赫茲能量芯片的使用壽命短，無(wú)法穩(wěn)定持久有效的發(fā)射出太赫茲波。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為克服上述情況不足，提供了一種能解決上述問題的技術(shù)方案。

太赫茲能量芯片，包括內(nèi)層和外層；

內(nèi)層包括依次從內(nèi)到外固定安裝的襯底層、反鐵磁性釘扎層、經(jīng)釘扎層、氧化物勢(shì)壘層、第一金屬層和防水膜，襯底層的外側(cè)四邊沿均對(duì)應(yīng)延伸出反鐵磁性釘扎層設(shè)置，防水膜的四側(cè)邊沿對(duì)應(yīng)密封安裝在襯底層的外側(cè)表面，反鐵磁性釘扎層、經(jīng)釘扎層、氧化物勢(shì)壘層、第一金屬層密封連接在襯底層和防水膜之間，襯底層的外側(cè)表面固定安裝有母魔術(shù)貼，母魔術(shù)貼設(shè)置在防水膜的外側(cè)；

外層包括依次從內(nèi)到外固定安裝的鐵磁層、第二金屬層和覆蓋層，覆蓋層的外側(cè)四邊沿均對(duì)應(yīng)延伸出第二金屬層設(shè)置，覆蓋層的內(nèi)側(cè)表面固定安裝有子魔術(shù)貼，子魔術(shù)貼設(shè)置在第二金屬層的外側(cè)，母魔術(shù)貼和子魔術(shù)貼之間形成可拆卸連接；反鐵磁性釘扎層和鐵磁層上均設(shè)置有平面方向的磁場(chǎng)，第一金屬層、鐵磁層、第二金屬層之間構(gòu)成太赫茲波發(fā)射的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：鐵磁層的內(nèi)側(cè)表面與防水膜的外側(cè)表面相互接觸。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：鐵磁層的內(nèi)側(cè)表面設(shè)置有防刮鍍膜。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：防刮鍍膜和防水膜之間相互接觸。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：異質(zhì)結(jié)構(gòu)的太赫茲波發(fā)射波長(zhǎng)在4～20μm之間。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：襯底層的材料采用高阻硅片、石英片、氧化鎂、藍(lán)寶石之中的任意一種。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：反鐵磁性釘扎層的材料采用MnIr、MnAu、CoMnSi、CoFeAl之中的任意一種。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：氧化物勢(shì)壘層的材料采用MgO。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：第一金屬層的材料采用Au、Pd、Cr、Ta、W、Pt、Ru之中的任意一種，第二金屬層的材料采用Au、Pd、Cr、Ta、W、Pt、Ru之中的任意一種。