[發明專利]半導體器件及其制造方法及包括該器件的電子設備

有效

• 申請號: 202110477559.3
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113257918B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體器件，包括：

在襯底上實質上沿豎直方向延伸的有源區；

繞所述有源區在豎直方向上的中間段的至少部分外周形成的柵堆疊，其中所述有源區包括與所述柵堆疊相對的溝道區以及分別在所述溝道區在豎直方向上的相對兩側的第一源/漏區和第二源/漏區；

第一側墻和第二側墻，分別介于所述柵堆疊的導體層與所述第一源/漏區之間以及所述柵堆疊的所述導體層與所述第二源/漏區之間，

其中，所述第一側墻和所述第二側墻中至少之一包括：

實質上在橫向上延伸的第一部分；以及

實質上在豎直方向上從所述第一部分向著遠離所述柵堆疊的方向延伸的第二部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一側墻的所述第一部分在所述柵堆疊的所述導體層與所述第一源/漏區之間自對準于所述溝道區的一端，或者所述第二側墻的所述第一部分在所述柵堆疊的所述導體層與所述第二源/漏區之間自對準于所述溝道區的一端。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一部分與所述第二部分所成的角圍繞所述有源區與所述柵堆疊相對的角部。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵堆疊包括柵介質層、功函數調節層以及柵電極材料層，所述導體層是所述柵電極材料層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一側墻和所述第二側墻分別從所述功函數調節層的相對端部延伸。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，

所述柵電極材料層靠近所述有源區的端部包括下部的第一表面、上部的第二表面以及面向所述有源區的第三表面，

所述功函數調節層至少覆蓋所述第三表面。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述功函數調節層還分別延伸至所述第一表面和所述第二表面上，所述第一側墻和所述第二側墻分別在所述第一表面和所述第二表面上與所述功函數調節層相接。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述功函數調節層在所述第一表面上的延伸長度與所述功函數調節層在所述第二表面上的延伸長度實質上相等。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第一側墻在所述第一表面上延伸的部分的厚度以及所述第二側墻在所述第二表面上延伸的部分的厚度與所述功函數調節層的厚度實質上相等。

10.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，

所述第一側墻在所述第一表面上延伸的部分與所述功函數調節層在所述第一表面上延伸的部分具有實質上共面的上表面和/或下表面；

所述第二側墻在所述第二表面上延伸的部分與所述功函數調節層在所述第二表面上延伸的部分具有實質上共面的上表面和/或下表面。

11.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述柵電極材料層包括所述端部以及相對于所述端部遠離所述柵堆疊的連接部分，所述連接部分在豎直方向上的厚度大于所述端部在豎直方向上的厚度。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，以下至少之一成立：

所述連接部分的底面低于所述端部的第一表面；

所述連接部分的頂面高于所述端部的第二表面。

13.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述有源區的所述中間段相對于所述有源區的下段和上段在橫向上凹入，所述功函數調節層設于所述有源區的所述中間段相對于下段和上段所形成的凹入中，所述柵電極材料層靠近所述豎直有源區的端部嵌入到所述凹入中。