[發(fā)明專利]進氣裝置及反應(yīng)腔室在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110477358.3 | 申請日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN113201725A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 秦海豐;史小平;蘭云峰;王勇飛;張文強;王昊;任曉艷 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/509 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 反應(yīng) | ||
本發(fā)明公開一種進氣裝置及反應(yīng)腔室,反應(yīng)腔室包括腔室本體和噴淋頭,噴淋頭設(shè)置于腔室本體的頂部,進氣裝置用于和噴淋頭連通,進氣裝置包括第一管道和進氣組件;第一管道用于與噴淋頭相連通,第一管道的側(cè)壁開設(shè)有第一通孔,第一管道的進氣端用于通入第一反應(yīng)氣體或清洗氣體;進氣組件包括組件本體,組件本體套設(shè)于第一管道的外側(cè),組件本體內(nèi)具有環(huán)繞第一管道的至少兩個通道,組件本體的外側(cè)設(shè)有第二通孔,第二通孔與其相鄰近的通道相連通,組件本體內(nèi)設(shè)有第三通孔,第三通孔用于連通相鄰的兩個通道,組件本體內(nèi)側(cè)設(shè)有第四通孔,第四通孔通過第一通孔與第一管道相連通。上述方案能夠解決反應(yīng)腔室的清洗效果較差的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種進氣裝置及反應(yīng)腔室。
背景技術(shù)
原子層沉積可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層鍍在晶圓表面。在鍍膜過程中,兩種或者更多的化學(xué)氣相反應(yīng)氣體依次在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而產(chǎn)生固態(tài)的薄膜。
相關(guān)技術(shù)中,反應(yīng)腔室包括管道和腔室本體,管道與腔室本體相連通。反應(yīng)氣體通過載氣攜帶可以通過管道通入腔室本體內(nèi),進而使得反應(yīng)氣體在腔室本體內(nèi)發(fā)生反應(yīng),從而在晶圓的表面產(chǎn)生薄膜。
為了提高晶圓表面薄膜的均勻性,管道的出氣端設(shè)置有直通進氣柵,反應(yīng)氣體和載氣經(jīng)過直流通氣柵時能夠?qū)Ψ磻?yīng)氣體和載氣進行混流,從而使得反應(yīng)氣體和載氣混合更加均勻,以使腔室本體內(nèi)的壓強維持在較高的范圍,進而使得反應(yīng)腔室的工藝性更好。
然而,直通進氣柵雖然能夠?qū)Ψ磻?yīng)氣體和載氣進行混流,但是其對氣體的阻流較大,因此當(dāng)反應(yīng)腔室需要進行清洗時,通入的清洗氣體被直通進氣柵阻流,進而使得反應(yīng)腔室的清洗效果較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開一種進氣裝置及反應(yīng)腔室,以解決反應(yīng)腔室的清洗效果較差的問題。
為了解決上述問題,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
一種進氣裝置,所述進氣裝置用于與反應(yīng)腔室連通,所述反應(yīng)腔室包括腔室本體和噴淋頭,所述噴淋頭設(shè)置于所述腔室本體的頂部,所述進氣裝置用于和所述噴淋頭連通,所述進氣裝置包括:
第一管道,所述第一管道用于與所述噴淋頭相連通,所述第一管道的側(cè)壁開設(shè)有第一通孔,所述第一管道的進氣端用于通入第一反應(yīng)氣體或清洗氣;
進氣組件,所述進氣組件包括組件本體,所述組件本體套設(shè)于所述第一管道的外側(cè),所述組件本體內(nèi)具有環(huán)繞所述第一管道的至少兩個通道,所述至少兩個通道沿所述組件本體的徑向間隔分布,所述組件本體的外側(cè)設(shè)有第二通孔,所述第二通孔與其相鄰近的所述通道相連通,所述組件本體內(nèi)設(shè)有第三通孔,所述第三通孔用于連通相鄰的兩個所述通道,所述組件本體內(nèi)側(cè)設(shè)有第四通孔,所述第四通孔與其相鄰近的所述通道相連通,所述第四通孔通過所述第一通孔與所述第一管道相連通,所述進氣組件用于通過所述第二通孔向所述第一管道通入第一反應(yīng)氣體。
一種反應(yīng)腔室,包括:反應(yīng)腔體和噴淋頭,所述噴淋頭設(shè)置于所述腔室本體上,反應(yīng)腔室還包括上述的進氣裝置,所述進氣裝置與所述噴淋頭連通。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果:
本發(fā)明公開的進氣裝置中,進氣組件包括組件本體,組件本體套設(shè)于第一管道的外側(cè),組件本體具有環(huán)繞第一管道的至少兩個通道,至少兩個通道沿組件本體的徑向間隔分布。第二反應(yīng)氣體和載氣能夠在至少兩個通道進行混合,第二反應(yīng)氣體和載氣混合充分,從而使得腔室本體內(nèi)的壓強維持在較高的范圍。此方案中,第二反應(yīng)氣體和載氣的混合在第一管道之外進行,從而使得第一管道內(nèi)無需設(shè)置混合部件。當(dāng)反應(yīng)腔室需要進行清洗時,由于第一管道內(nèi)無混合部件,因此第一管道內(nèi)的阻流較小,進而使得清洗氣體不容易被阻礙在第一管道內(nèi),進而提高反應(yīng)腔室的清洗效果。
附圖說明
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





