[發(fā)明專利]一種用于芯片測(cè)試的裝置制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110477243.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113376503B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉在福;曾昭孔;郭瑞亮;陳武偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州通富超威半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28;G01R1/073 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 芯片 測(cè)試 裝置 制作方法 | ||
本申請(qǐng)涉及涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種用于芯片測(cè)試的裝置制作方法,其方法包括:提供一印制電路板;在所述印制電路板上設(shè)置若干個(gè)探針,所述探針連接且垂直于所述印制電路板;熔融的絕緣材料含浸部分所述探針,以使所述測(cè)試臺(tái)與所述印制電路板澆鑄連接。本申請(qǐng)通過測(cè)試基座與測(cè)試臺(tái)澆鑄連接,使得測(cè)試基座的探針與測(cè)試臺(tái)始終相對(duì)靜止,避免了因探針頻繁穿過或穿出于測(cè)試臺(tái)的通孔而導(dǎo)致的探針歪斜或彎曲,有利于待測(cè)芯片與測(cè)試基座穩(wěn)定電連接。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于芯片測(cè)試的裝置制作方法。
背景技術(shù)
芯片一般是指集成電路的載體,也是集成電路經(jīng)過設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試后的結(jié)果,通常是一個(gè)可以立即使用的獨(dú)立的整體。芯片制造完成后,需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試,比如,老化測(cè)試、光功率測(cè)試。
在相關(guān)技術(shù)中,芯片測(cè)試裝置包括芯片載具和測(cè)試基座,在測(cè)試過程中,待測(cè)芯片放置于芯片載具上,測(cè)試基座的探針需穿過芯片載具的孔與待測(cè)芯片電連接,以實(shí)現(xiàn)芯片測(cè)試。
在上述測(cè)試過程中,測(cè)試基座的探針容易歪斜,導(dǎo)致接觸不良,引發(fā)芯片測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足,期望提供一種用于芯片測(cè)試的裝置制作方法。
本發(fā)明提供一種用于芯片測(cè)試的裝置制作方法,其包括:
提供一印制電路板;
在所述印制電路板上設(shè)置若干個(gè)探針,所述探針連接且垂直于所述印制電路板;
熔融的絕緣材料含浸部分所述探針,以使所述測(cè)試臺(tái)與所述印制電路板澆鑄連接。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,所述熔融的絕緣材料含浸部分所述探針的步驟包括:
提供一中空結(jié)構(gòu)的模具框,將所述模具框放置于所述印制電路板設(shè)置所述探針的表面,以使所述探針位于所述模具框內(nèi);
提供一模具蓋,所述模具蓋放置于所述模具框上,以使所述印制電路板、所述模具框及所述模具蓋構(gòu)成一密閉空間,所述模具蓋開設(shè)連通孔,所述連通孔用于連通所述密閉空間;
所述熔融的絕緣材料通過所述連通孔導(dǎo)流于所述密閉空間內(nèi);
移除所述模具蓋。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,所述模具框與所述印制電路板固定連接。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,所述模具框的高度小于所述探針的長度,以使部分所述探針突出于所述模具框。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,所述探針矩陣布置于所述印制電路板。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,所述矩陣的幾何中心位于所述連通孔中心線上。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,所述模具蓋朝向所述模具框的表面設(shè)有盲孔,所述盲孔深度大于所述探針突出于所述模具框的長度,以使所述探針突出于所述模具框部分完全容置于所述盲孔內(nèi)。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,所述盲孔與所述探針突出于所述模具框的部分間隙配合。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,在所述移除所述模具蓋的步驟之后,還包括:研磨所述連通孔正對(duì)的所述測(cè)試臺(tái)表面區(qū)域。
作為可實(shí)現(xiàn)的最優(yōu)方式,在所述熔融的絕緣材料含浸部分所述探針,以使所述測(cè)試臺(tái)與所述印制電路板澆鑄連接的步驟之后,還包括:
所述測(cè)試臺(tái)背向所述印制電路板的表面設(shè)置絕緣層,所述絕緣層設(shè)有與所述探針配合的插孔,或者,絕緣套套設(shè)于所述探針突出于所述測(cè)試臺(tái)部分。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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