[發明專利]半導體處理裝置及半導體處理方法

在審

• 申請號: 202110473834.4
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113206027A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 吳凱文;黃正義;陳俊達;謝錦升
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/46
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種半導體處理裝置及半導體處理方法，半導體處理裝置包括加熱器以及加熱器升降總成，加熱器被配置成加熱位于加熱器的晶片承載區域上的晶片，加熱器包括在晶片承載區域下面延伸的加熱器軸，加熱器升降總成包括升降軸、夾具及阻尼器，升降軸被配置成在垂直方向上移動加熱器軸，夾具將加熱器軸連接到升降軸，阻尼器設置在夾具頂部上。

技術領域

本發明的實施例是涉及一種半導體處理裝置及其使用方法，特別是涉及一種包括加熱器升降總成彈簧阻尼器的半導體處理裝置及其使用方法。

背景技術

隨著電子產品的發展，半導體技術已廣泛應用于制造存儲器、中央處理器(central processing unit，CPU)、液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、發光二極管(light emission diode，LED)、激光二極管及其他器件或芯片組。為實現高集成度及高速要求，已減小半導體集成電路的尺寸，并已提出各種材料及技術來實現這些要求并克服制造期間的障礙。控制處理腔室內的晶片的條件是半導體制作技術的重要部分。

發明內容

根據一些實施例，一種半導體處理裝置包括加熱器及加熱器升降總成，加熱器被配置成加熱位于所述加熱器的晶片承載區域上的晶片，所述加熱器包括在所述晶片承載區域下面延伸的加熱器軸，加熱器升降總成包括升降軸、夾具及阻尼器，升降軸被配置成在垂直方向上移動所述加熱器軸，夾具將所述加熱器軸連接到所述升降軸，阻尼器設置在所述夾具頂部上。

根據一些實施例，一種半導體處理裝置包括殼體、加熱器及加熱器升降總成，殼體被配置成在其中處理晶片，加熱器包括被配置成支撐所述晶片且加熱所述晶片的晶片承載臺，所述加熱器還包括在所述晶片承載臺下面延伸的加熱器軸，加熱器升降總成包括升降軸、夾具及阻尼器，升降軸被配置成通過旋轉運動在垂直方向上移動所述加熱器軸，夾具將所述加熱器軸連接到所述升降軸，阻尼器設置在所述夾具頂部上，其中所述阻尼器被配置成當所述夾具移動到最大垂直位置時接合從所述殼體內向下延伸的接觸結構。

根據一些實施例，一種半導體處理方法包括在晶片處理裝置的夾具上提供阻尼器，其中所述夾具將升降軸連接到加熱器軸，其中所述升降軸被配置成在垂直方向上移動所述加熱器軸，其中所述加熱器軸從加熱器的晶片承載區域下面延伸，所述加熱器被配置成加熱位于所述晶片承載區域上的晶片、將所述加熱器降低到降低的位置、在所述降低的位置處接收所述晶片、將所述加熱器升高到升高的位置以及在所述升高的位置處處理所述晶片。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開的各個方面。應注意，各種特征未必按比例繪制。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸及幾何結構。

圖1是根據一些實施例的處理裝置的垂直剖視圖。

圖2是根據一些實施例的加熱器升降總成及例如調平板結構及加熱器等相鄰結構的立體圖。

圖3A是根據一些實施例的加熱器升降總成及調平板結構的右側立體圖。

圖3B是根據一些實施例的加熱器升降總成及調平板結構的左側立體圖。

圖4A示出根據某些實施例的左彈性彈簧及右彈性彈簧。

圖4B示出根據某些實施例的上面可設置左彈性彈簧及右彈性彈簧的夾具。

圖5A是根據一些實施例的彈性彈簧的側視圖。

圖5B是根據一些實施例的彈性彈簧的平面圖。

圖5C是根據一些實施例的可偏置頂件(biasable top piece)的平面圖。

圖5D是根據一些實施例的可偏置頂件的側視圖。

圖6A示出根據一些實施例的未偏置的可偏置頂件的側視圖。