[發(fā)明專利]半導(dǎo)體處理裝置及半導(dǎo)體處理方法

在審

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• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113206027A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳凱文;黃正義;陳俊達;謝錦升
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/46
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，包括：

加熱器，被配置成加熱位于所述加熱器的晶片承載區(qū)域上的晶片，所述加熱器包括在所述晶片承載區(qū)域下面延伸的加熱器軸；以及

加熱器升降總成，包括：

升降軸，被配置成在垂直方向上移動所述加熱器軸；

夾具，將所述加熱器軸連接到所述升降軸；以及

阻尼器，設(shè)置在所述夾具頂部上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，還包括：

調(diào)平板，被配置成以側(cè)向取向側(cè)向地固定所述加熱器軸，其中所述調(diào)平板包括設(shè)置在所述阻尼器之上的接觸結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其中所述阻尼器包括彈性彈簧，所述彈性彈簧具有可偏置頂件，所述可偏置頂件以凸起取向設(shè)置在彈性材料頂部上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其中所述阻尼器包括彈性彈簧，所述彈性彈簧具有以凸起取向設(shè)置在彈性材料頂部上的可偏置頂件，其中所述可偏置頂件具有柔性彈簧部分寬度，所述柔性彈簧部分寬度大于接觸結(jié)構(gòu)的接觸結(jié)構(gòu)寬度，所述接觸結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述彈性彈簧之上且被配置成當所述夾具移動到最大垂直位置時接觸所述彈性彈簧。

5.一種半導(dǎo)體處理裝置，包括：

殼體，被配置成在其中處理晶片；

加熱器，包括被配置成支撐所述晶片且加熱所述晶片的晶片承載臺，所述加熱器還包括在所述晶片承載臺下面延伸的加熱器軸；以及

加熱器升降總成，包括：

升降軸，被配置成通過旋轉(zhuǎn)運動在垂直方向上移動所述加熱器軸；

夾具，將所述加熱器軸連接到所述升降軸；以及

阻尼器，設(shè)置在所述夾具頂部上，其中所述阻尼器被配置成當所述夾具移動到最大垂直位置時接合從所述殼體內(nèi)向下延伸的接觸結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置，其中所述阻尼器是設(shè)置在所述升降軸的相對兩側(cè)上的一組兩個阻尼器的部分。

7.一種半導(dǎo)體處理方法，包括：

在晶片處理裝置的夾具上提供阻尼器，其中所述夾具將升降軸連接到加熱器軸，其中所述升降軸被配置成在垂直方向上移動所述加熱器軸，其中所述加熱器軸從加熱器的晶片承載區(qū)域下面延伸，所述加熱器被配置成加熱位于所述晶片承載區(qū)域上的晶片；

將所述加熱器降低到降低的位置；

在所述降低的位置處接收所述晶片；

將所述加熱器升高到升高的位置；以及

在所述升高的位置處處理所述晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體處理方法，還包括：

將所述阻尼器與被配置成側(cè)向地固定所述加熱器軸的調(diào)平板的接觸結(jié)構(gòu)接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理方法，其中所述阻尼器包括彈性彈簧，所述彈性彈簧具有可偏置頂件，所述可偏置頂件以凸起取向設(shè)置在彈性材料頂部上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理方法，其中所述可偏置頂件具有柔性彈簧部分寬度，所述柔性彈簧部分寬度大于接觸結(jié)構(gòu)的接觸結(jié)構(gòu)寬度，所述接觸結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述彈性彈簧之上且被配置成當所述夾具移動到最大垂直位置時接觸所述彈性彈簧。