[發(fā)明專利]一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110473519.1 | 申請日： | 2021-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN113078889A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王璐;嚴(yán)祥傳;閔靖;孫大立 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院精密測量科學(xué)與技術(shù)創(chuàng)新研究院 |
| 主分類號： | H03K17/041 | 分類號： | H03K17/041;H03K17/687 |
| 代理公司： | 武漢宇晨專利事務(wù)所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 李鵬;王敏鋒 |
| 地址： | 430071 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高精度 控制 快速 磁場 系統(tǒng) | ||
1.一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場系統(tǒng)，包括IGBT開關(guān)模塊，其特征在于，還包括MOSFET電流控制模塊，
IGBT開關(guān)模塊包括絕緣柵雙極晶體管、第一壓敏電阻和第二壓敏電阻，
費什巴赫線圈與第一壓敏電阻并聯(lián)，費什巴赫線圈一端與電流源一端連接，另一端與絕緣柵雙極晶體管的集電極連接，絕緣柵雙極晶體管的集電極和發(fā)射極并聯(lián)有第二壓敏電阻，
MOSFET控制模塊包括場效應(yīng)管、PID控制器、第三壓敏電阻和信號源，
場效應(yīng)管的漏極與絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極連接，場效應(yīng)管的漏極和源極并聯(lián)有第三壓敏電阻R3，場效應(yīng)管的源極與電流源另一端連接，場效應(yīng)管的柵極與PID控制器的輸出端連接，PID控制器的輸入端分別與信號源S和霍爾電流傳感器輸出的信號連接，霍爾電流傳感器用于測量費什巴赫線圈的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場系統(tǒng)，其特征在于，所述的費什巴赫線圈包括第一亥姆霍茲線圈和第二亥姆霍茲線圈，第一亥姆霍茲線圈和第二亥姆霍茲線圈均由銅管繞制而成，第一亥姆霍茲線圈通過連接銅管與第二亥姆霍茲線圈串聯(lián)，第一亥姆霍茲線圈上開設(shè)有進(jìn)水孔和出水孔，第二亥姆霍茲線圈上開設(shè)有進(jìn)水孔和出水孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場系統(tǒng)，其特征在于，所述的霍爾電流傳感器設(shè)置在連接銅管上。
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