[發(fā)明專利]一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場(chǎng)系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110473519.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113078889A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王璐;嚴(yán)祥傳;閔靖;孫大立 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院精密測(cè)量科學(xué)與技術(shù)創(chuàng)新研究院 |
| 主分類號(hào): | H03K17/041 | 分類號(hào): | H03K17/041;H03K17/687 |
| 代理公司: | 武漢宇晨專利事務(wù)所(普通合伙) 42001 | 代理人: | 李鵬;王敏鋒 |
| 地址: | 430071 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高精度 控制 快速 磁場(chǎng) 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開了一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場(chǎng)系統(tǒng),IGBT開關(guān)模塊包括絕緣柵雙極晶體管、第一壓敏電阻和第二壓敏電阻,場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極連接,場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極并聯(lián)有第三壓敏電阻,費(fèi)什巴赫線圈包括第一亥姆霍茲線圈和第二亥姆霍茲線圈,第一亥姆霍茲線圈和第二亥姆霍茲線圈均由銅管繞制而成,第一亥姆霍茲線圈和第二亥姆霍茲線圈上均開設(shè)有進(jìn)水孔和出水孔。本發(fā)明通過采用壓敏電阻做耗散、結(jié)合絕緣柵雙極晶體管實(shí)現(xiàn)大磁場(chǎng)的快速關(guān)斷;利用PID控制器對(duì)費(fèi)什巴赫線圈中的電流反饋來實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制;對(duì)電流源的輸出電壓進(jìn)行了外部控制,使得兩個(gè)或者多個(gè)并聯(lián)的電流源不同電流下輸出的電壓不同。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及大磁場(chǎng)控制技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場(chǎng)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
自1995年玻色愛因斯坦凝聚誕生以來,對(duì)超冷氣體的研究呈現(xiàn)出前所未有的發(fā)展,而Feshbach共振技術(shù)的產(chǎn)生,使得人們可以對(duì)原子間的相互作用進(jìn)行調(diào)控,這在實(shí)現(xiàn)超冷氣體的量子簡并、分子的BEC凝聚和BCS超流等研究中有著廣泛的應(yīng)用。為了對(duì)原子間的相互作用進(jìn)行精確控制且快速探測(cè),實(shí)驗(yàn)上需要高精度控制且快速關(guān)斷的磁場(chǎng)系統(tǒng)。不同的原子對(duì)磁場(chǎng)強(qiáng)度的要求不同,小磁場(chǎng)系統(tǒng)控制較為簡單,而大磁場(chǎng)則相對(duì)困難。為了覆蓋大多數(shù)的原子,我們擬產(chǎn)生1000G的磁場(chǎng),并進(jìn)行精確控制。我們?cè)O(shè)計(jì)了適用的磁場(chǎng)線圈,電感L=0.5mH。為了產(chǎn)生1000G的磁場(chǎng),需要對(duì)線圈施加450A的電流。目前對(duì)于如此大電流系統(tǒng),普通的控制方案關(guān)斷時(shí)間較長、穩(wěn)定性差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場(chǎng)系統(tǒng),解決了大磁場(chǎng)系統(tǒng)的關(guān)斷慢和不可控問題,而且結(jié)構(gòu)簡單,操作性強(qiáng),精度高。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
一種可高精度控制且快速關(guān)斷的大磁場(chǎng)系統(tǒng),包括IGBT開關(guān)模塊,還包括MOSFET電流控制模塊,
IGBT開關(guān)模塊包括絕緣柵雙極晶體管、第一壓敏電阻和第二壓敏電阻,
費(fèi)什巴赫線圈與第一壓敏電阻并聯(lián),費(fèi)什巴赫線圈一端與電流源一端連接,另一端與絕緣柵雙極晶體管的集電極連接,絕緣柵雙極晶體管的集電極和發(fā)射極并聯(lián)有第二壓敏電阻,
MOSFET控制模塊包括場(chǎng)效應(yīng)管、PID控制器、第三壓敏電阻和信號(hào)源,
場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極連接,場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極并聯(lián)有第三壓敏電阻R3,場(chǎng)效應(yīng)管的源極與電流源另一端連接。場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與PID控制器的輸出端連接,PID控制器的輸入端分別與信號(hào)源S和霍爾電流傳感器輸出的信號(hào)連接,霍爾電流傳感器用于測(cè)量費(fèi)什巴赫線圈的電流。
如上所述的費(fèi)什巴赫線圈包括第一亥姆霍茲線圈和第二亥姆霍茲線圈,第一亥姆霍茲線圈和第二亥姆霍茲線圈均由銅管繞制而成,第一亥姆霍茲線圈通過連接銅管與第二亥姆霍茲線圈串聯(lián),第一亥姆霍茲線圈上開設(shè)有進(jìn)水孔和出水孔,第二亥姆霍茲線圈上開設(shè)有進(jìn)水孔和出水孔。
如上所述的霍爾電流傳感器設(shè)置在連接銅管上。
本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),具有以下有益效果:
本發(fā)明通過采用壓敏電阻做耗散、結(jié)合絕緣柵雙極晶體管實(shí)現(xiàn)大磁場(chǎng)的快速關(guān)斷;利用PID控制器對(duì)費(fèi)什巴赫線圈中的電流反饋來實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制;對(duì)電流源的輸出電壓進(jìn)行了外部控制,使得兩個(gè)或者多個(gè)并聯(lián)的電流源的輸出電壓保持一致,且不同電流下輸出的電壓不同。本實(shí)驗(yàn)結(jié)構(gòu)簡單、操作性強(qiáng)、穩(wěn)定性好、精度高且可控。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的電路原理圖;
圖2是本發(fā)明的費(fèi)什巴赫線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。
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