[發明專利]用于重分布層的互連結構和半導體封裝在審

申請號：	202110469835.1	申請日：	2021-04-28
公開（公告）號：	CN113644052A	公開（公告）日：	2021-11-12
發明（設計）人：	郭哲宏;劉興治	申請（專利權）人：	聯發科技股份有限公司
主分類號：	H01L23/538	分類號：	H01L23/538;H01L23/498
代理公司：	深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280	代理人：	黎堅怡
地址：	中國臺灣新竹市***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于分布互連結構半導體封裝
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【說明書】：

本發明公開一種用于重分布層的互連結構，包括：中間通孔焊盤；一個或一簇上導電通孔，鄰接該中間通孔焊盤，并且將該中間通孔焊盤電耦接到上通孔焊盤；以及下導電通孔，將該中間通孔焊盤與該下電路焊盤電耦接，其中，該下導電通孔布置在沿該中間通孔焊盤的周邊延伸的馬蹄形通孔區域內。因此本發明中上導電通孔不與下導電通孔重疊，因此避免了應力沿垂直方向傳遞，可以減輕電路設計人員的負擔，并且可以顯著減少運行時間。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種用于重分布層的互連結構和半導體封裝。

背景技術

近年來，隨著設計復雜度的增加，業界已經提出了用于系統集成的先進封裝技術。例如，扇出晶圓級芯片級封裝(fan-out wafer-level chip-scale package，FO-WLCSP)提供了一種有前途的替代方案，該方案具有小尺寸，更好的信噪比和改進的熱特性。

如本領域中已知的，微凸塊(micro-bump)和重分布層(redistribution layer，RDL)用于多芯片FO-WLCSP中，以連接相鄰芯片以及連接到扇出芯片上的輸入/輸出(input/output，I/O)焊盤上。RDL可以是芯片的上層金屬層，并且多個芯片在多芯片FO-WLCSP中共用相同的RDL。在現代IC設計中，I/O焊盤通常沿著芯片的邊界放置，RDL用于將I/O焊盤重新分配到受控的塌陷芯片連接(controlled collapse chip connection，C4)凸塊焊盤，或連接不同芯片之間I/O焊盤。I/O焊盤可以重新分配到芯片外部的扇出區域，以增加引腳數。

C4凸塊是扇出芯片封裝和電路基板(例如，封裝基板)之間的界面。眾所周知，由于熱膨脹系數不匹配(或CTE(coefficient of thermal expansion，熱膨脹系數)不匹配)，C4凸塊通常承受較大的應力。因此，C4凸塊的尺寸和間距大于I/O焊盤或微型凸塊的尺寸和間距。這導致C4凸塊位置可能與其對應的I/O焊盤或微型凸塊位置不同。

通常，焊盤到凸塊(即I/O焊盤到C4凸塊焊盤)的相對位置數以千計，因此在RDL布線的設計過程中會生成數千種通孔和焊盤互連圖案，這不可避免地增加了運行時間(runtime)，并使RDL電路設計過程變得繁重。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種用于重分布層的互連結構和半導體封裝，以解決上述問題。

根據本發明的第一方面，公開一種用于重分布層的互連結構，包括：

中間通孔焊盤；

一個或一簇上導電通孔，鄰接該中間通孔焊盤，并且將該中間通孔焊盤電耦接到上通孔焊盤；以及

下導電通孔，將該中間通孔焊盤與該下電路焊盤電耦接，其中，該下導電通孔布置在沿該中間通孔焊盤的周邊延伸的馬蹄形通孔區域內。

根據本發明的第二方面，公開一種半導體封裝，包括：

至少一個半導體晶粒；

模塑料，圍繞該半導體晶粒的；以及

重分布層，設置在該模塑料的下表面上，其中，該至少一個半導體晶粒電連接至該重分布層的互連結構，其中，該互連結構包括：

中間通孔焊盤；