[發明專利]用于重分布層的互連結構和半導體封裝在審
| 申請號： | 202110469835.1 | 申請日： | 2021-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN113644052A | 公開（公告）日： | 2021-11-12 |
| 發明（設計）人： | 郭哲宏;劉興治 | 申請（專利權）人： | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L23/498 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎堅怡 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 分布 互連 結構 半導體 封裝 | ||
1.一種用于重分布層的互連結構，其特征在于，包括：
中間通孔焊盤；
上導電通孔，鄰接該中間通孔焊盤，并且將該中間通孔焊盤電耦接到該上通孔焊盤；以及
下導電通孔，將該中間通孔焊盤與該下電路焊盤電耦接，其中，該下導電通孔布置在沿該中間通孔焊盤的周邊延伸的馬蹄形通孔區域內。
2.如權利要求1所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，該中間通孔焊盤包括圓形、矩形、正方形、多邊形、橢圓形或不規則形狀；或/和，該上通孔焊盤包括圓形、矩形、正方形、多邊形、橢圓形或不規則形狀。
3.如權利要求2所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，該中間通孔焊盤和該上通孔焊盤具有相同或不同的形狀。
4.如權利要求1所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，該上導電通孔設置在該中間通孔焊盤上的該上通孔焊盤的投影區域內。
5.如權利要求4所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，該投影面積等于該上通孔焊盤的上表面面積。
6.如權利要求4所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，該中間通孔焊盤的在該投影區域之外的其余部分是具有均勻寬度的環形區域。
7.如權利要求6所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，該環形區域由中心線劃分為兩個鏡像對稱的馬蹄形，并且其中該兩個鏡像對稱的馬蹄形區域之一定義為馬蹄形通孔區域。
8.如權利要求1所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，該下導電通孔將該中間通孔焊盤與該下電路焊盤電耦接。
9.如權利要求1所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，當從上方觀察時，該中間通孔焊盤和該上通孔焊盤相對于中心軸不是同心的。
10.如權利要求1所述的用于重分布層的互連結構，其特征在于，布置在該馬蹄形通孔區域內的該下導電通孔不與該上導電通孔重疊。
11.一種半導體封裝，其特征在于，包括：
至少一個半導體晶粒；
模塑料，圍繞該半導體晶粒的；以及
重分布層，設置在該模塑料的下表面上，其中，該至少一個半導體晶粒電連接至該重分布層的互連結構，其中，該互連結構包括：
中間通孔焊盤；
上導電通孔，鄰接該中間通孔焊盤，并且將該中間通孔焊盤電耦接到該上通孔焊盤；以及
下導電通孔，將該中間通孔焊盤與該下電路焊盤電耦接，其中，該下導電通孔布置在沿該中間通孔焊盤的周邊延伸的馬蹄形通孔區域內。
12.一種用于重分布層的互連結構，其特征在于，包括：
中間通孔焊盤；
上導電通孔，鄰接該中間通孔焊盤，并且將該中間通孔焊盤電耦接到該上通孔焊盤；以及
下導電通孔，將該中間通孔焊盤與該下電路焊盤電耦接，其中，該上導電通孔設置在該中間通孔焊盤上的該上通孔焊盤的投影區域內，其中該下導電通孔布置在該投影區域外部的該中間通孔焊盤的其余部分上，并且不與該上導電通孔簇重疊。
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