[發(fā)明專利]一種生物基星型ArF光刻膠成膜樹脂、光刻膠組合物及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110466774.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113214428B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 季生象;顧雪松;劉亞棟;李小歐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院 |
| 主分類號(hào): | C08F220/18 | 分類號(hào): | C08F220/18;C08F220/28;C08F220/38;G03F7/039 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 宮愛(ài)鵬 |
| 地址: | 510530 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 生物 基星型 arf 光刻 膠成膜 樹脂 組合 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種生物基星型ArF光刻膠成膜樹脂、光刻膠組合物及其制備方法,所述成膜樹脂包含如下式I無(wú)規(guī)星型聚合物結(jié)構(gòu);其中n、m、x和y為單體的摩爾占比,0<n≤0.3,0<m≤0.8,0<x≤0.2,0<y≤0.3,n+m+x+y=1;R1、R2、R3和R4為H、CH3或CH2CH3。本發(fā)明將光致產(chǎn)酸劑引入到星型樹脂中可以均勻的分布在成膜樹脂的膜中。光致產(chǎn)酸劑不僅可以在曝光的區(qū)域產(chǎn)酸,同時(shí)還能有效地在光刻膠中均勻分布,提高光刻膠的粘附性、靈敏度(≤31mJ/cm2)、分辨率(≤90nm),改善光刻膠的成膜能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)光刻膠微電子化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種用于光刻膠的星型樹脂及其制備方法,以及光刻膠組合物。
背景技術(shù)
光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是在微電子制造業(yè)中實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路和圖形加工的核心材料。光刻技術(shù)利用光刻膠在射前后溶解度的差異轉(zhuǎn)移圖案,不同光刻膠與曝光光源的組合會(huì)得到不同精細(xì)度的線路圖形。光刻膠伴隨著微電子技術(shù)的發(fā)展而不斷更新?lián)Q代。根據(jù)摩爾定律,集成電路的集成度每18個(gè)月翻一倍。這使得集成電路的加工線寬不斷縮小,對(duì)光刻膠分辨率的要求不斷增高。根據(jù)Relay公式,光刻膠的分辨率與曝光波長(zhǎng)成反比,所以降低曝光波長(zhǎng)成為提高分辨率的主要途徑。因此,隨著集成電路的發(fā)展,光刻工藝經(jīng)歷了從從365nm(I-線)發(fā)展到248nm(KrF)、193nm(ArF)、13nm(EUV)。
為提高光刻膠的靈敏度,目前主流的KrF、ArF、EUV光刻膠采用了化學(xué)放大型光敏樹脂。目前,我國(guó)自主研發(fā)的商業(yè)化光刻膠材料主要包括酚醛樹脂、聚對(duì)羥基苯乙烯等,主要用于G-線(436nm)與I-線(365nm)的光刻工藝。但目前國(guó)際主流光刻工藝所使用的光源波長(zhǎng)為193nm,而上述光刻膠材料在用于193nm工藝時(shí)存在光敏性較低,得到圖形分辨率低,抗刻蝕能力較差,得到圖形對(duì)比度差等缺點(diǎn)。
因此,如何設(shè)計(jì)開發(fā)出符合光刻膠配方需求的配套材料(成膜樹脂),是當(dāng)前光刻膠產(chǎn)品配方開發(fā)的重點(diǎn)。此外,光刻膠配方的篩選和定型更是一個(gè)世界級(jí)的難題。如何使整個(gè)光刻膠配方具備良好的分辨率和線條粗糙度,一直是業(yè)界需要重點(diǎn)研究的方向。
發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,本發(fā)明提供一種用于光刻膠的成膜樹脂及光刻膠組合物和制備方法。進(jìn)而制備得到適用于193nm遠(yuǎn)紫外曝光波長(zhǎng)的光刻膠。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種生物基星型ArF光刻膠成膜樹脂,包含如下無(wú)規(guī)星型聚合物結(jié)構(gòu):
其中n、m、x和y為單體的摩爾占比,0<n≤0.3,0<m≤0.8,0<x≤0.2,0<y≤0.3,n+m+x+y=1;R1、R2、R3和R4為H、CH3或CH2CH3。
優(yōu)選地,所述R是由單體I、II、III和IV共聚制備而成,所述單體I、II、III和IV分別為:
其中,R1、R2、R3和R4為H、CH3或CH2CH3。
所述成膜樹脂的制備方法,包括如下步驟:
(1)在惰性氣氛下,將單體I、II、III和IV與引發(fā)劑、鹵化亞銅及配體加入到溶劑中,攪拌均勻,進(jìn)行反應(yīng);
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