[發明專利]一種蒸鍍曲面源、及蒸鍍系統

在審

• 申請號: 202110464225.2
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113174566A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 茆勝
• 申請（專利權）人: 睿馨（珠海）投資發展有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/12;C23C14/04;C23C14/26;C23C14/50;H01L51/56
• 代理公司: 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346
• 代理人: 劉少偉

本發明涉及一種蒸鍍曲面源、及蒸鍍系統，包括：一具有一定曲率的凹曲面、以及環繞在所述凹曲面外側的邊緣；其中，所述凹曲面的曲率半徑大于所述凹曲面在水平方向上的直徑的一半。有益效果：通過根據本發明的圓形曲面源沉積系統，與傳統的表面蒸發源相比，可以以更接近垂直的角度進行蒸發，從而形成無陰影的高精度高分辨率的有機薄膜。

技術領域

本發明涉及蒸鍍設備技術領域，尤其是涉及一種蒸鍍曲面源、及蒸鍍系統。

背景技術

OLED微型顯示器件是一種高分辨率自發光顯示器件，其應用和市場前景已經在世界范圍內得到了證實。近年來，隨著虛擬現實(VR)、增強現實(AR)、混合現實(MR)市場的不斷擴大，人們對于高分辨率微OLED的需求也日益突出。因此，需要一種更精細的OLED有機薄膜圖案化技術。

然而，在高真空狀態下將有機發光材料蒸發成氣體并將有機材料沉積在硅基底上的熱蒸發沉積技術是OLED微型顯示器件的關鍵工藝技術。在傳統的熱蒸發沉積工藝中，有機物噴射孔是點狀或線性狀的，因此OLED器件需要耗費大量的時間。特別是，有機材料從噴射孔中噴射出在熱蒸發沉積中出現陰影，限制了更高分辨率OLED的生產。

然而，有機材料從正方形或各種類型的表面源蒸發到圓形硅基底會造成有機材料的浪費，并且也會增加沉積在腔室壁上的殘余有機氣體分子。這是因為蒸發的有機氣體分子和殘留的有機氣體分子相互碰撞，導致有機氣體分子的散射，從而導致了有機材料不能垂直沉積在硅基底上，結果，在硅基底上產生不均勻的陰影效應。

因此，本發明提出了能夠使用于大規模生產高分辨率OLED微型顯示器件的蒸鍍曲面源、及蒸鍍系統。

發明內容

本發明提供一種蒸鍍曲面源、及蒸鍍系統，以解決現有技術中蒸鍍效果差、沉積不均勻的問題。

本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現：

一種蒸鍍曲面蒸發源，包括：一具有一定曲率的凹曲面、以及環繞在所述凹曲面外側的邊緣；

所述凹曲面的曲率半徑大于所述凹曲面在水平方向上的直徑的一半；

所述凹曲面的高斯曲率計算如下式所得：

其中k₁，k₂為該點的兩個主法曲率，E，G，F為第一類基本量，L，N，M為第二類基本量。

在一些實施例中，在水平方向上，所述凹曲面的截面的最大面積不小于基底的面積。

在一些實施例中，所述凹曲面的深度應≥20mm。

本發明還提出了一種蒸鍍系統，包括：

支架，用以固定待沉積的基底；

掩膜版，置于所述基底的下方，所述掩膜版上開設有可使蒸發分子通過的圖形化開口；

如前述的蒸發源，置于所述掩膜版的下方，在所述蒸發源的凹曲面內置有待蒸鍍的有機材料；

加熱裝置，置于所述蒸發源的下方，用以加熱所述蒸發源直至所述蒸發源內的有機材料蒸發。

在一些實施例中，所述掩膜版由金屬材料制成，所述金屬材料為無放氣的純金屬材料，如鈦、鉭等。

在一些實施例中，所述蒸發源由金屬材料制成，所述金屬材料為無放氣的純金屬材料，如鈦、鉭等。

在一些實施例中，所述加熱裝置為電加熱裝置，所述電加熱裝置的形態與所述蒸發源的凹曲面的曲率一致。

在一些實施例中，所述電加熱裝置包括呈螺旋狀排列的電阻絲。

在一些實施例中，所述加熱裝置的加熱溫度區間為50-300℃，加熱速率為1～10℃/s。