[發明專利]一種蒸鍍曲面源、及蒸鍍系統在審
| 申請號: | 202110464225.2 | 申請日: | 2021-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN113174566A | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發明(設計)人: | 茆勝 | 申請(專利權)人: | 睿馨(珠海)投資發展有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/12;C23C14/04;C23C14/26;C23C14/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 劉少偉 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市橫琴新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 曲面 系統 | ||
1.一種蒸鍍曲面蒸發源,其特征在于,包括:一具有一定曲率的凹曲面、以及環繞在所述凹曲面外側的邊緣;
所述凹曲面的曲率半徑大于所述凹曲面在水平方向上的直徑的一半;
所述凹曲面的高斯曲率計算如下式所得:
其中k1,k2為該點的兩個主法曲率,E,G,F為第一類基本量,L,N,M為第二類基本量。
2.根據權利要求1所述的一種蒸鍍曲面蒸發源,其特征在于,在水平方向上,所述凹曲面的截面的最大面積不小于基底的面積。
3.根據權利要求1所述的一種蒸鍍曲面蒸發源,其特征在于,所述凹曲面的深度應≥20mm。
4.一種蒸鍍系統,其特征在于,包括:
支架,用以固定待沉積的基底;
掩膜版,置于所述基底的下方,所述掩膜版上開設有可使蒸發分子通過的圖形化開口;
如權利要求1-3任意一項權利要求所述蒸發源,置于所述掩膜版的下方,在所述蒸發源的凹曲面內置有待蒸鍍的有機材料;
加熱裝置,置于所述蒸發源的下方,用以加熱所述蒸發源直至所述蒸發源內的有機材料蒸發。
5.根據權利要求4所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述掩膜版由金屬材料制成,所述金屬材料為無放氣的純金屬材料;
所述蒸發源由金屬材料制成,所述金屬材料為無放氣的純金屬材料。
6.根據權利要求4所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述加熱裝置為電加熱裝置,所述電加熱裝置的形態與所述蒸發源的凹曲面的曲率一致。
7.根據權利要求6所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述電加熱裝置包括呈螺旋狀排列的電阻絲。
8.根據權利要求6所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述加熱裝置的加熱溫度區間為50-300℃,加熱速率為1~10℃/s。
9.根據權利要求4所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述有機材料的厚度為100-10000A。
10.根據權利要求4所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述蒸發源與基底的間距為10-300mm。
11.根據權利要求4所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述支架成階梯狀,在所述支架內設有容納所述基底和掩膜版的腔室,在所述基底的上部壓蓋有一磁力板,在所述磁力板的磁力作用下,使得所述基底和掩膜版保持緊密接觸。
12.根據權利要求4所述的一種蒸鍍系統,其特征在于,所述蒸鍍系統在沉積過程的真空度為10-4~10-7Torr。
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