[發明專利]半導體器件的測試結構及漏電分析方法

有效

• 申請號: 202110461617.3
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113314507B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 漆林
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 邵磊;張穎玲

1.一種半導體器件的測試結構，其特征在于，包括：

第一導電結構，包括：位于第一平面內的第一導電線和多個第二導電線；其中，每個所述第二導電線分別垂直于同一條所述第一導電線，且每個所述第二導電線的一端與同一條所述第一導電線電連接，任意相鄰兩條所述第二導電線的另一端之間彼此間隔；

第二導電結構，包括：位于所述第一平面內的多個第三導電線和位于第二平面內的第四導電線；其中，每個所述第三導電線位于相鄰的兩個所述第二導電線之間，所述第三導電線分別與所述第一導電線以及所述第二導電線電絕緣，所述第二平面與所述第一平面不同；

第一導電柱，電連接所述第三導電線和所述第四導電線。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括：

第一導電層，位于所述第一平面內，通過所述第一導電線與多個所述第二導電線分別電連接；

第二導電層，位于所述第二平面內，通過所述第四導電線以及多個所述第一導電柱與多個所述第三導電線分別電連接。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括：

金屬互連結構；其中，所述第一導電層通過所述金屬互連結構與襯底電連接。

4.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，相鄰的兩個所述第二導電線之間的距離相等。

5.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，

每個所述第三導電線位于相鄰的兩個所述第二導電線的居中位置。

6.一種半導體器件的漏電分析方法，其特征在于，所述半導體器件包括如權利要求1至5任一項所述的測試結構，所述方法包括：

去除位于所述第二平面內的所述第四導電線，直至顯露所述第一導電柱；

對所述第一導電柱執行電性檢測，獲得第一檢測結果；

基于所述檢測結果中所述第一導電柱呈現的圖像，對所述半導體器件進行漏電分析。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述檢測結果中所述第一導電柱呈現的圖像，對所述半導體器件進行漏電分析，包括：

所述檢測結果中所述第一導電柱呈現亮色，對應于與所述第一導電柱電連接的所述第三導電線漏電；

所述檢測結果中所述第一導電柱呈現暗色，對應于與所述第一導電柱電連接的所述第三導電線不漏電。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一檢測結果指示與所述第一導電柱電連接的所述第三導電線漏電時，所述方法還包括：

去除與漏電的所述第三導電線電連接的所述第一導電柱，形成凹槽；其中，所述凹槽的側壁顯露漏電的所述第三導電線相對遠離所述第一導電線的端部；

對漏電的所述第三導電線執行所述電性檢測，獲得第n個第二檢測結果；其中，n為自然數；

當所述第n個第二檢測結果指示剩余的所述第三導電線漏電時，沿朝向所述第一導電線的方向去除漏電的所述第三導電線的部分區域，以將所述凹槽的寬度從第n寬度增大為第(n+1)寬度，并對剩余的所述第三導電線執行所述電性檢測，獲得第(n+1)個第二檢測結果；

當所述第(n+1)個第二檢測結果指示剩余的所述第三導電線不漏電時，根據所述凹槽的所述第n寬度和所述第(n+1)寬度，確定所述第三導電線發生漏電的區域。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

當所述第(n+1)個第二檢測結果指示剩余的所述第三導電線漏電時，再次沿朝向所述第一導電線的方向去除漏電的所述第三導電線的部分區域，以將所述凹槽的寬度從所述第(n+1)寬度增大為第(n+2)寬度，并對剩余的所述第三導電線執行所述電性檢測，獲得第(n+2)個第二檢測結果。

10.根據權利要求6至9任一項所述的方法，其特征在于，所述電性檢測包括：電壓襯度檢測或電子束檢測。