[發(fā)明專(zhuān)利]芯片標(biāo)記方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110461453.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113096113A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 索鑫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06T7/00 | 分類(lèi)號(hào): | G06T7/00;G06T7/13 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 標(biāo)記 方法 系統(tǒng) 電子設(shè)備 計(jì)算機(jī) 可讀 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.一種芯片標(biāo)記方法,其特征在于,包括:
提供一晶圓;
逐行/列掃描所述晶圓上的芯片,每掃描得到一個(gè)合格芯片,均以所述合格芯片為中心芯片選取一第一芯片區(qū)域,所述第一芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的N行N列矩陣,其中,N為大于或等于5的奇數(shù);
獲取所述第一芯片區(qū)域的芯片良率并判斷所述第一芯片區(qū)域的芯片良率與第一良率設(shè)定值的大小關(guān)系,當(dāng)所述第一芯片區(qū)域的芯片良率小于所述第一良率設(shè)定值時(shí),將所述第一芯片區(qū)域等比例縮小以構(gòu)成第二芯片區(qū)域,所述第二芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的M行M列矩陣,其中,M為大于或等于3的奇數(shù),NM;
獲取所述第二芯片區(qū)域內(nèi)的芯片良率并判斷所述第二芯片區(qū)域的芯片良率與第二良率設(shè)定值的大小關(guān)系,當(dāng)所述第二芯片區(qū)域內(nèi)的芯片良率小于第二良率設(shè)定值,則對(duì)所述中心芯片進(jìn)行標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片標(biāo)記方法,其特征在于,逐行/列掃描所述晶圓上的芯片時(shí),當(dāng)掃描到前后第行和前后第列有合格芯片時(shí),將所述合格芯片默認(rèn)為不合格芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片標(biāo)記方法,其特征在于,逐行/列掃描所述晶圓上的芯片時(shí),從第行、第列掃描到第行、第列,K為行/列數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片標(biāo)記方法,其特征在于,逐行/列掃描所述晶圓上的芯片之前,對(duì)所述晶圓上的芯片進(jìn)行測(cè)試,以獲取所述合格芯片,逐行/列掃描所述晶圓上的芯片時(shí),通過(guò)識(shí)別所述芯片的標(biāo)識(shí)判定是否為合格芯片。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片標(biāo)記方法,其特征在于,所述標(biāo)記為墨點(diǎn)標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片標(biāo)記方法,其特征在于,將標(biāo)記的所述中心芯片作為隱患芯片。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片標(biāo)記方法,其特征在于,所述第一良率設(shè)定值及所述第二良率設(shè)定值均為65%~75%。
8.一種芯片標(biāo)記系統(tǒng),其特征在于,包括:
晶圓供應(yīng)模塊,用于提供一晶圓;
第一芯片區(qū)域構(gòu)建模塊,用于逐行/列掃描所述晶圓上的芯片,每掃描得到一個(gè)合格芯片,均以所述合格芯片為中心芯片選取一第一芯片區(qū)域,所述第一芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的N行N列矩陣,其中,N為大于或等于5的奇數(shù);
判斷及第二芯片區(qū)域構(gòu)建模塊,用于獲取所述第一芯片區(qū)域的芯片良率并判斷所述第一芯片區(qū)域的芯片良率與第一良率設(shè)定值的大小關(guān)系,當(dāng)所述第一芯片區(qū)域的芯片良率小于所述第一良率設(shè)定值時(shí),將所述第一芯片區(qū)域等比例縮小以構(gòu)成第二芯片區(qū)域,所述第二芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的M行M列矩陣,其中,M為大于或等于3的奇數(shù),NM;
標(biāo)記模塊,用于獲取所述第二芯片區(qū)域內(nèi)的芯片良率并判斷所述第二芯片區(qū)域的芯片良率與第二良率設(shè)定值的大小關(guān)系,當(dāng)所述第二芯片區(qū)域內(nèi)的芯片良率小于第二良率設(shè)定值,則對(duì)所述中心芯片進(jìn)行標(biāo)記。
9.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括:
一個(gè)或多個(gè)執(zhí)行器;以及,
存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)程序;以及,
當(dāng)所述一個(gè)或多個(gè)程序被所述一個(gè)或多個(gè)執(zhí)行器執(zhí)行,使得所述一個(gè)或多個(gè)執(zhí)行器實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7中任一所述的芯片標(biāo)記方法。
10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,該程序被執(zhí)行器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7中任一所述的芯片標(biāo)記方法。
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