[發(fā)明專利]芯片標(biāo)記方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110461453.4
• 申請(qǐng)日: 2021-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN113096113A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 索鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G06T7/00
• 分類號(hào): G06T7/00;G06T7/13
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發(fā)明提供了一種芯片標(biāo)記方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，提供一晶圓；逐行/列掃描所述晶圓上的芯片，每掃描得到一個(gè)合格芯片，均以所述合格芯片為中心芯片選取一第一芯片區(qū)域，所述第一芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的N行N列矩陣；獲取所述第一芯片區(qū)域的芯片良率并判斷所述第一芯片區(qū)域的芯片良率與第一良率設(shè)定值的大小關(guān)系，將所述第一芯片區(qū)域等比例縮小以構(gòu)成第二芯片區(qū)域；所述第二芯片區(qū)域內(nèi)的芯片良率并判斷所述第二芯片區(qū)域的芯片良率與第二良率設(shè)定值的大小關(guān)系，對(duì)所述中心芯片進(jìn)行標(biāo)記；本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了標(biāo)記臨近聚集型缺陷芯片的合格芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片標(biāo)記方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體的生產(chǎn)中，隨著晶圓尺寸的增大和元器件尺寸的縮小，一片晶圓可劃分成數(shù)千個(gè)相同或不同的芯片。由于生產(chǎn)設(shè)計(jì)或材料本身的特性，生產(chǎn)的晶圓中除了包括有合格芯片外，還可能存在有缺陷芯片。目前通常是通過測(cè)試設(shè)備對(duì)晶圓上的每一個(gè)芯片的電氣特性進(jìn)行測(cè)試，若發(fā)現(xiàn)缺陷芯片時(shí)將在該缺陷芯片打上墨點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記。通常在晶圓邊緣區(qū)域存在聚集型的缺陷芯片，然而臨近聚集型缺陷芯片旁邊的合格芯片可能存在潛在的工藝問題風(fēng)險(xiǎn)，為了規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，需要找到臨近聚集型缺陷芯片旁邊的合格芯片，將此合格芯片進(jìn)行標(biāo)記，在后續(xù)工藝時(shí)則避開被標(biāo)記的合格芯片，因此需要一種芯片標(biāo)記方式。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供芯片標(biāo)記方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，以實(shí)現(xiàn)標(biāo)記臨近聚集型缺陷芯片的合格芯片。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種芯片標(biāo)記方法，包括：

提供一晶圓；

逐行/列掃描所述晶圓上的芯片，每掃描得到一個(gè)合格芯片，均以所述合格芯片為中心芯片選取一第一芯片區(qū)域，所述第一芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的N行N列矩陣，其中，N為大于或等于5的奇數(shù)；

獲取所述第一芯片區(qū)域的芯片良率并判斷所述第一芯片區(qū)域的芯片良率與第一良率設(shè)定值的大小關(guān)系，當(dāng)所述第一芯片區(qū)域的芯片良率小于所述第一良率設(shè)定值時(shí)，將所述第一芯片區(qū)域等比例縮小以構(gòu)成第二芯片區(qū)域，所述第二芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的M行M列矩陣，其中，M為大于或等于3的奇數(shù)，NM；

獲取所述第二芯片區(qū)域內(nèi)的芯片良率并判斷所述第二芯片區(qū)域的芯片良率與第二良率設(shè)定值的大小關(guān)系，當(dāng)所述第二芯片區(qū)域內(nèi)的芯片良率小于第二良率設(shè)定值，則對(duì)所述中心芯片進(jìn)行標(biāo)記。

可選的，逐行/列掃描所述晶圓上的芯片時(shí)，當(dāng)掃描到前后第行和前后第列有合格芯片時(shí)，將所述合格芯片默認(rèn)為不合格芯片。

可選的，逐行/列掃描所述晶圓上的芯片時(shí)，從第行、第列掃描到第行、第列，K為行/列數(shù)。

可選的，逐行/列掃描所述晶圓上的芯片之前，對(duì)所述晶圓上的芯片進(jìn)行測(cè)試，以獲取所述合格芯片，逐行/列掃描所述晶圓上的芯片時(shí)，通過識(shí)別所述晶圓上的芯片的標(biāo)識(shí)判定是否為合格芯片。

可選的，所述標(biāo)記為墨點(diǎn)標(biāo)記。

可選的，將標(biāo)記的所述中心芯片作為隱患芯片。

可選的，所述第一良率設(shè)定值及所述第二良率設(shè)定值均為65％～75％。

一種芯片標(biāo)記系統(tǒng)，包括：

晶圓供應(yīng)模塊，用于提供一晶圓；

第一芯片區(qū)域構(gòu)建模塊，用于逐行/列掃描所述晶圓上的芯片，每掃描得到一個(gè)合格芯片，均以所述合格芯片為中心芯片選取一第一芯片區(qū)域，所述第一芯片區(qū)域是以對(duì)應(yīng)的所述中心芯片為中心的N行N列矩陣，其中，N為大于或等于5的奇數(shù)；