[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110461289.7
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113192827A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁肖;劉宇;劉昌宇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底內(nèi)形成若干柵極結(jié)構(gòu)及若干目標(biāo)區(qū)，所述目標(biāo)區(qū)排布在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)；

在所述基底的表面上形成介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層具有若干第一開口，一個所述第一開口與一個所述目標(biāo)區(qū)對準(zhǔn)；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述介質(zhì)層，以在所述介質(zhì)層內(nèi)形成若干第二開口；

去除所述圖形化的光刻膠層；以及，

沿著所述第二開口底部刻蝕所述基底的部分深度以形成若干第三開口，一個所述第二開口與一個所述第三開口聯(lián)通并構(gòu)成第一連接通孔。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在沿著所述第二開口底部刻蝕所述基底的部分深度以形成若干第三開口之后，還包括：

對所述目標(biāo)區(qū)進(jìn)行離子注入以形成源區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在對所述目標(biāo)區(qū)進(jìn)行離子注入以形成所述源區(qū)之后，還包括：

對所述基底的背面進(jìn)行離子注入以形成漏區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述源區(qū)和所述漏區(qū)的注入的離子的類型均為N型或均為P型。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在對所述目標(biāo)區(qū)進(jìn)行離子注入以形成所述源區(qū)之后，還包括：

在所述第一連接通孔中填充導(dǎo)電材料以形成源極電連接件。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述介質(zhì)層以及沿著所述第二開口底部刻蝕所述基底的部分深度的刻蝕源端功率均為1000W～1500W。

7.如權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述介質(zhì)層以及沿著所述第二開口底部刻蝕所述基底的部分深度的刻蝕偏置功率均為200W～300W。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極多晶硅層和屏蔽柵多晶硅層，所述圖形化的光刻膠層具有若干第四開口，所述第四開口與所述柵極多晶硅層對準(zhǔn)，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成若干與所述目標(biāo)區(qū)對準(zhǔn)的第二開口時，還在所述介質(zhì)層內(nèi)形成若干與所述柵極多晶硅層對準(zhǔn)的第五開口，且沿著所述第二開口刻蝕所述基底以形成第三開口時，沿著所述第五開口刻蝕所述柵極多晶硅層以形成第二連接通孔；以及，

在所述第一連接通孔中填充所述導(dǎo)電材料以形成源極電連接件時，還在所述第二連接通孔中填充所述導(dǎo)電材料以形成柵極電連接件。

9.如權(quán)利要求5或8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料包括鎢、銅和鋁中的一種或多種。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，采用各項異性刻蝕工藝沿著所述第二開口底部刻蝕所述基底的部分深度以形成若干第三開口。