[發(fā)明專利]一種SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110461246.9
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113192987A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳宏
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括SOI襯底，所述SOI襯底具有有源區(qū)，所述SOI襯底的有源區(qū)上形成有SAB層和柵極結(jié)構(gòu)，所述SAB層和柵極結(jié)構(gòu)垂直且呈T字型設(shè)置，所述SAB層和柵極結(jié)構(gòu)將所述有源區(qū)劃分為位于所述SAB層上方的體接觸區(qū)，位于SAB層下方且被有源區(qū)間隔設(shè)置的源區(qū)和漏區(qū)；

其中，所述SAB層的厚度遠(yuǎn)小于所述柵極結(jié)構(gòu)的高度。

2.如權(quán)利要求1所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SAB層的厚度為柵極結(jié)構(gòu)的高度的0.3倍以下。

3.如權(quán)利要求2所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SAB層的厚度為柵極結(jié)構(gòu)的高度的0.15倍以下。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵氧化層以及位于所述柵氧化層上的柵極。

5.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SOI襯底包括襯底、絕緣埋層和頂層硅，所述襯底和頂層硅均摻雜了P型離子。

6.如權(quán)利要求5所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣埋層為埋氧化層，其厚度小于500nm。

7.如權(quán)利要求6所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述體接觸區(qū)位于P型重?fù)诫s區(qū)域，所述源區(qū)和漏區(qū)位于N型摻雜區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源區(qū)和漏區(qū)的SOI襯底上還形成有鈷硅化合物層。

9.如權(quán)利要求8所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源區(qū)上還形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述有源區(qū)的鈷硅化合物層、SAB層和柵極結(jié)構(gòu)，在所述介質(zhì)層中形成有接觸孔，所述接觸孔用于將所述源區(qū)、漏區(qū)、體接觸區(qū)及柵極引出。

10.一種SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)的形成方法，用于制備如權(quán)利要求1～9中任一項所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括以下步驟：

提供一SOI襯底，所述SOI襯底具有有源區(qū)；以及

在所述有源區(qū)的SOI襯底上形成SAB層和柵極，所述SAB層和柵極垂直且呈T字型設(shè)置，且所述SAB層和柵極結(jié)構(gòu)將所述有源區(qū)劃分為位于所述SAB層上方的體接觸區(qū)，位于SAB層下方且被有源區(qū)間隔設(shè)置的源區(qū)和漏區(qū)，其中，所述SAB層的厚度遠(yuǎn)小于所述柵極結(jié)構(gòu)的高度。

11.如權(quán)利要求10所述的SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成SAB層和柵極之后還包括：

在所述源區(qū)和漏區(qū)的SOI襯底上執(zhí)行Ar濺射預(yù)清洗工藝；以及

在所述源區(qū)和漏區(qū)的SOI襯底上執(zhí)行鈷濺射工藝，以在所述源區(qū)和漏區(qū)的SOI襯底的表面形成鈷硅化合物層，從而形成SOI體接觸器件結(jié)構(gòu)。