[發明專利]表貼二極管及制造方法

在審

• 申請號: 202110460679.2
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113193050A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 劉德軍;古進;石文坤;楊春梅;肖搖;齊勝偉
• 申請（專利權）人: 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八七三廠）
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/329;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 貴州派騰知識產權代理有限公司 52114
• 代理人: 張祥軍

1.一種表貼二極管，其特征在于：包括管芯(1)，所述管芯(1)的上端面設有上電極片(2)，管芯(1)的下端面設有下電極片(3)，管芯(1)與上電極片(2)、下電極片(3)之間通過蒸鋁層燒焊在一起，管芯(1)、上電極片(2)、下電極片(3)的側面包覆有鈍化玻璃(4)，下電極片(3)的下端凸出鈍化玻璃(4)，上電極片(2)的上端設有變形電極片(5)。

2.如權利要求1所述的表貼二極管，其特征在于：所述變形電極片(5)為銅片。

3.如權利要求2所述的表貼二極管，其特征在于：所述變形電極片(5)與上電極片(2)之間通過銀銅焊片(6)焊接。

4.如權利要求2所述的表貼二極管，其特征在于：所述上電極片(2)向橫向伸出鈍化玻璃(4)后向下彎折，再橫向彎折，橫向彎折部分的下端與下電極片(3)的下端處于同一平面。

5.如權利要求2所述的表貼二極管，其特征在于：所述銀銅焊片(6)的上端凸出鈍化玻璃(4)。

6.如權利要求1所述的表貼二極管，其特征在于：所述上電極片(2)、下電極片(3)為鉬片。

7.權利要求1～6中任一項所述的表貼二極管的制造方法，其特征在于：包括如下步驟

步驟一、單晶片，選擇電阻率為0.003Ω·cm～500Ω·cm的N型單晶硅片，從一面磨片至厚度200～350μm；

步驟二、磷硼擴散，對N型單晶硅片進行磷硼擴散，磷面結深10～80μm，方塊電阻≤3Ω/□，硼面結深10～80μm，方塊電阻≤5Ω/□；

步驟三、噴砂，用壓縮空氣攜帶金剛砂去除硼擴散面形成的硼硅玻璃層；

步驟四、蒸鋁，在保留的磷擴散面蒸鋁，細磨面不蒸鋁，形成蒸鋁層；

步驟五、裂片，裂片成所需尺寸，裂片后在HF：HNO3＝1：5體積比的腐蝕劑中腐蝕80～180S，腐蝕后大量冷去離子水沖洗，酒精脫水烘干；

步驟六、裝模燒結，管芯1正反兩面的蒸鋁層作為管芯1與鉬片的焊料層，將厚度為0.1～0.5mm的鉬片裝配在管芯1上下兩端燒結鍵合；裝配后如圖2所示

步驟七、臺面腐蝕，用2％～12％的KOH溶液在80～100℃下進行腐蝕2～25min，腐蝕后用熱去離子水清洗，并在熱去離子水中煮沸5次，用熱、冷去離子水交叉沖洗半小時以上，然后在鈍化液中55～60℃下鈍化1～10min；

步驟八、包封玻璃粉，根據外形尺寸要求設計加工相應的玻璃粉填充模具，將產品置于玻璃粉填充模具中，并填充玻璃粉；填充玻璃粉后如圖3所示

步驟九、高溫成型及整形，將填充玻璃粉的產品置于高溫環境中進行玻化，成為管芯1臺面的鈍化層，同時也是整個產品的包封體，最后整形成所需形狀，即得表貼二極管。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步驟三、噴砂，金剛砂的代表規格為302#、303#，壓縮空氣氣壓為100kPa～500kPa。

9.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步驟四、蒸鋁，鋁層厚度為6～16μm，蒸鋁后合金，合金溫度為450～550℃，恒溫時間為5～20min。

10.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步驟六、燒結參數為，真空度≥0.0034pa，恒溫溫度660～700℃，恒溫時間2～5min，升溫速率5～25℃/min，降溫速率≤5℃/min，冷卻至100℃以下取出產品。