[發明專利]利用氫化硅和銀的感應透射濾波器在審
| 申請號: | 202110458191.6 | 申請日: | 2021-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN113568081A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 喬治·J·歐肯法斯 | 申請(專利權)人: | 唯亞威通訊技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/28 | 分類號: | G02B5/28;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/10;C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 武娟;楊明釗 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 氫化 感應 透射 濾波器 | ||
1.一種感應透射濾波器,所述感應透射濾波器包括:
光學濾波器層的集合,所述光學濾波器層的集合包括:
光學濾波器層的第一子集,所述光學濾波器層的第一子集包括具有第一折射率的第一材料,所述第一材料至少包括硅或氫;和
光學濾波器層的第二子集,所述光學濾波器層的第二子集包括具有第二折射率的第二材料,
所述第二材料不同于所述第一材料,所述第二材料至少包含銀。
2.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,其中,所述第一材料是以下項中的至少一項:
氫化硅(Si:H)材料,或
非晶硅(a-Si)材料。
3.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,其中,所述第一材料是以下項中的至少一項:
硅鍺(SiGe)材料,或
氫化硅鍺(SiGe:H)材料。
4.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,還包括:
光學濾波器層的第三子集,所述光學濾波器層的第三子集包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。
5.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,還包括:
基底,所述光學濾波器層的集合設置到所述基底上。
6.根據權利要求5所述的感應透射濾波器,其中,所述光學濾波器層的集合設置到所述基底的第一側上,并且所述感應透射濾波器還包括:
涂層,所述涂層設置到所述基底的第二側上。
7.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,其中,在大約800納米(nm)至大約1700nm的光譜范圍,所述第一折射率大于3.3。
8.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,其中,在入射角度在0度到40度之間的情況下,所述感應透射濾波器的相對角度位移小于1.5%。
9.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,其中,在入射角度在0度到40度之間的情況下,所述感應透射濾波器的相對角度位移小于1.0%。
10.根據權利要求1所述的感應透射濾波器,其中,在入射角度在0度到40度之間的情況下,所述感應透射濾波器的相對角度位移小于0.5%。
11.一種制造光學濾波器的方法,所述方法包括:
沉積所述光學濾波器的光學濾波器層的第一子集,
所述光學濾波器層的第一子集包括具有第一折射率的第一材料,所述第一材料至少包括硅或氫;和
沉積所述光學濾波器的光學濾波器層的第二子集,
所述光學濾波器層的第二子集包括具有第二折射率的第二材料,
所述第二材料不同于所述第一材料,所述第二材料至少包含銀。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,沉積所述光學濾波器層的第一子集包括:
使用第一靶材濺射所述光學濾波器層的第一子集。
13.根據權利要求11所述的方法,其中,沉積所述光學濾波器層的第二子集包括:
使用第二靶材濺射所述光學濾波器層的第二子集。
14.根據權利要求11所述的方法,還包括:
沉積所述光學濾波器的光學濾波器層的第三子集,
所述光學濾波器層的第三子集包括具有第三折射率的第三材料。
15.根據權利要求14所述的方法,其中,所述第一材料是氫化硅(Si:H),所述第二材料是銀(Ag),而所述第三材料是二氧化硅(SiO2)。
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