[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置與其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110457684.8
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113314612A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃玉蓮;許哲銘;傅勁逢;林煥哲
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，耦接至沿著一第一方向延伸的一第一導(dǎo)體通道的末端；

一第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，耦接至沿著該第一方向延伸的一第二導(dǎo)體通道的末端；

一第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，延伸穿過一層間介電層并電性耦接至該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)；

一第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，延伸穿過該層間介電層以電性耦接至該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)；以及

一第一隔離結(jié)構(gòu)，位于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，并延伸至該層間介電層中。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一第二隔離結(jié)構(gòu)于該第一導(dǎo)體通道與該第二導(dǎo)體通道之下。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一隔離結(jié)構(gòu)的下表面與該第二隔離結(jié)構(gòu)的上表面齊平。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一隔離結(jié)構(gòu)的下表面高于或低于該第二隔離結(jié)構(gòu)的上表面。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一氣隙位于該第一隔離結(jié)構(gòu)與該第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及該第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的每一者之間。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

形成一第一溝槽以至少部分地延伸穿過覆蓋一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與一第二源極/漏極結(jié)構(gòu)的一層間介電層，其中該第一溝槽位于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)之間；

將一介電材料填入該第一溝槽，以形成一第一隔離結(jié)構(gòu)；以及

形成一第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與一第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)以分別電性耦接至該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中該第一隔離結(jié)構(gòu)使該第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與該第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)彼此電性隔離。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括：

將該第一隔離結(jié)構(gòu)的上側(cè)部分置換成一抗蝕刻材料，且該抗蝕刻材料與該層間介電層的蝕刻選擇性不同；

蝕刻該層間介電層以形成多個接點孔而分別露出該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，而采用該抗蝕刻材料的該第一隔離結(jié)構(gòu)維持實質(zhì)上完整；

將一金屬材料填入所述接點孔，以形成該第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與該第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；以及

自該第一隔離結(jié)構(gòu)移除該抗蝕刻材料。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，填入所述接點孔的步驟之前還包括：

形成一犧牲層，以沿著該第一隔離結(jié)構(gòu)的每一側(cè)壁延伸；以及

形成相同的該介電材料的一層，以沿著該犧牲層的每一側(cè)壁延伸。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，填入該接點孔的步驟之后還包括：

移除該犧牲層以形成一氣隙，且該氣隙沿著該第一隔離結(jié)構(gòu)的每一側(cè)壁延伸；以及

密封該氣隙。

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

形成一介電隔離結(jié)構(gòu)以延伸穿過覆蓋一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與一第二源極/漏極結(jié)構(gòu)的一層間介電層，其中該介電隔離結(jié)構(gòu)位于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)之間；

以一抗蝕刻材料覆蓋該介電隔離結(jié)構(gòu)的上表面；

蝕刻該層間介電層以形成多個接點孔而分別露出該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，并以該抗蝕刻材料保護(hù)該介電隔離結(jié)構(gòu)；以及

將一金屬材料填入所述接點孔，以分別形成電性耦接至該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)的一第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與一第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該介電隔離結(jié)構(gòu)使該第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與該第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)彼此電性隔離。