[發(fā)明專利]一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜真空磁控濺射制備工藝

在審

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• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113308673A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李亦龍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市新邦薄膜科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/14;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 深圳市國亨知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44733
• 代理人: 李夏宏

本發(fā)明公開了一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜真空磁控濺射制備工藝，屬于真空鍍膜領(lǐng)域。本發(fā)明的一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜真空磁控濺射制備工藝，采用真空磁控濺射卷繞式鍍膜機(jī)，以金屬鈮靶(NbO_x)、硅靶(Si)、銦靶(In)、鈦靶(Ti)作為濺射靶材，采用特定的濺射膜層疊層順序和膜層厚度，實(shí)現(xiàn)高亮銀色多介質(zhì)薄膜的生產(chǎn)，提升薄膜的金屬質(zhì)感和銀白色亮度效果，其中增加的金屬保護(hù)層還能增加本發(fā)明的一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜的耐腐蝕、耐高溫高濕、耐低溫等功能性效果，擴(kuò)展其應(yīng)用場景，并延長其使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及真空鍍膜領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜真空磁控濺射制備工藝。

背景技術(shù)

現(xiàn)有運(yùn)用磁控濺射方式制備銀白色金屬效果的薄膜產(chǎn)品多為單一介質(zhì)或雙層介質(zhì)，較常運(yùn)用的金屬材質(zhì)有銀(Ag)、鋁(Al)、銦(In)等，其膜層結(jié)構(gòu)簡單，制備方法簡單，易實(shí)現(xiàn)工業(yè)量產(chǎn)。但近年隨著市場發(fā)展的需求，產(chǎn)品外觀要求更具特色，性能要求更嚴(yán)格。普通銀白色產(chǎn)品，亮度效果及金屬質(zhì)感相對較弱，不能達(dá)到要求。且雙層以下的介質(zhì)薄膜在耐高溫高濕、耐低溫檢測、UV老化測試、耐腐蝕方面效果較弱。本發(fā)明的一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜真空磁控濺射制備工藝從外觀上、結(jié)構(gòu)上、功能上對現(xiàn)有效果進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)，運(yùn)用多介質(zhì)膜結(jié)構(gòu)，不僅有效的提升了多介質(zhì)薄膜的銀白色、純白度效果和金屬質(zhì)感，也極大了提升了多介質(zhì)膜的耐高溫高濕、耐低溫、耐腐蝕等功能性效果，極大的擴(kuò)展了多介質(zhì)膜的應(yīng)用領(lǐng)域并增加了其使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

1.發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明的目的在于提供了一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜真空磁控濺射制備工藝，通過真空磁控濺射方式，設(shè)計(jì)使用特定的濺射靶材和膜層厚度，實(shí)現(xiàn)耐高溫高濕、耐腐蝕的高亮銀色多介質(zhì)薄膜生產(chǎn)。

2.技術(shù)方案

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：

一種高亮銀色多介質(zhì)薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：將膜料放置于磁控濺射鍍膜機(jī)的真空室中，膜料與鍍膜陰極表面間距為5～10cm，將真空室抽至真空，且各鍍膜室壓強(qiáng)不高于3.0E-3Pa，隨后向各鍍膜室充入氬氣和氧氣混合氣；

步驟二：鍍制表面光學(xué)膜層；

步驟三：鍍制金屬層；

步驟四：鍍制金屬保護(hù)層；

優(yōu)選地，所述的步驟一中鍍制的表面光學(xué)膜層采用Nb₂O₅和SiO₂作為濺射靶材，首先鍍制Nb₂O₅，膜層厚度為35～50nm，隨后鍍制SiO₂，膜層厚度為 85～100nm。

優(yōu)選地，所述步驟三中鍍制的金屬層采用In作為濺射靶材，膜層厚度為 25～40nm。

優(yōu)選地，所述步驟四中鍍制的金屬保護(hù)層鍍膜采用TiO_x作為濺射靶材，膜層厚度為50～70nm。

優(yōu)選地，所述步驟二中鍍制Nb₂O₅薄膜時(shí)，氬氣與氧氣體積比為6:1～8:1。

優(yōu)選地，所述步驟二中鍍制SiO₂薄膜時(shí)，電源電壓情況需控制在350～450V 之間，氬氣與氧氣體積比為4:1～2:1，使SiO₂分子環(huán)境處于過氧態(tài)

優(yōu)選地，所述步驟三中鍍制In層薄膜時(shí)，采用DC電源，工作功率為5～8kW.

優(yōu)選地，所述步驟四種鍍制TiO_x薄膜時(shí)，氬氣與氧氣體積比為6:1～8:1。