[發明專利]一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝

在審

• 申請號: 202110456659.8
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113308673A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 李亦龍
• 申請（專利權）人: 深圳市新邦薄膜科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/14;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 深圳市國亨知識產權代理事務所(普通合伙) 44733
• 代理人: 李夏宏

1.一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：將膜料放置于磁控濺射鍍膜機的真空室中，膜料與鍍膜陰極表面間距為5～10cm，將真空室抽至真空，且各鍍膜室壓強不高于3.0E-3Pa，隨后向各鍍膜室充入氬氣和氧氣混合氣；

步驟二：鍍制表面光學膜層；

步驟三：鍍制金屬層；

步驟四：鍍制金屬保護層。

2.根據權利要求1所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述的步驟一中鍍制的表面光學膜層采用Nb₂O₅和SiO₂作為濺射靶材，首先鍍制Nb₂O₅，膜層厚度為35～50nm，隨后鍍制SiO₂，膜層厚度為85～100nm。

3.根據權利要求1所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述步驟三中鍍制的金屬層采用In作為濺射靶材，膜層厚度為25～40nm。

4.根據權利要求1所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述步驟四中鍍制的金屬保護層鍍膜采用TiO_x作為濺射靶材，膜層厚度為50～70nm。

5.根據權利要求1所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述步驟二中鍍制Nb₂O₅薄膜時，氬氣與氧氣體積比為6∶1～8∶1。

6.根據權利要求1所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述步驟二中鍍制SiO₂薄膜時，電源電壓情況需控制在350～450V之間，氬氣與氧氣體積比為4∶1～2∶1，使SiO₂分子環境處于過氧態。

7.根據權利要求1所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述步驟三中鍍制In層薄膜時，采用DC電源，工作功率為5～8kW。

8.根據權利要求1所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述步驟四種鍍制TiO_x薄膜時，氬氣與氧氣體積比為6∶1～8∶1。

9.根據權利要求1～8所述的一種高亮銀色多介質薄膜真空磁控濺射制備工藝，其特征在于，所述的真空磁控鍍膜使用真空磁控濺射卷繞式鍍膜機，具備4靶位以上鍍膜腔室結構，且鍍膜腔室都為獨立腔室結構，鍍制過程中各獨立鍍膜室真壓強維持在5.0E-1PA～1.0E-1PA之間。