[發明專利]一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法在審
| 申請號： | 202110455797.4 | 申請日： | 2021-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN113136623A | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發明（設計）人： | 毛開禮;魏汝省;趙麗霞;李斌;戴鑫;李天;范云;靳霄曦 | 申請（專利權）人： | 山西爍科晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷錦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 碳化硅 內部 碳包體 缺陷 密度 方法 | ||
1.一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，包括以下步驟：
a）制備碳化硅顆粒混合物：將晶粒粒度為5-2000μm的碳化硅單晶粒與粘結劑混合均勻，制成碳化硅顆?；旌衔?；
b）將碳化硅顆?；旌衔镞M行燒結形成碳化硅多晶多孔塊體，燒結壓力為1-100mbar，加熱至1800-2200℃，維持5-50h；
c）將碳化硅多晶多孔塊體去除殘余碳；
d）將去除殘余碳的碳化硅多晶多孔塊體放置于坩堝中碳化硅粉體上部，使碳化硅粉體和坩堝頂部的碳化硅籽晶相隔離；
e）采用物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶。
2.根據權利要求1所述的一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，步驟a中，碳化硅單晶粒的粒度為100-500μm。
3.根據權利要求2所述的一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，所述碳化硅單晶粒與粘結劑的質量比為10-300:1-10。
4.根據權利要求3所述的一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，所述碳化硅單晶粒與粘結劑的質量比為50-100:1-10。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，所述粘接劑為石墨膠、AB膠、高分子碳聚合物中的一種。
6.根據權利要求1所述的一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，步驟b中所述的燒結是在惰性氣氛保護下進行。
7.根據權利要求1所述的一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，步驟c中，去除殘余碳是將碳化硅多晶多孔塊體放置于氧化爐中，加熱至300-800℃，維持3-20h。
8.根據權利要求1所述的一種降低碳化硅單晶內部碳包體缺陷密度的方法，其特征在于，步驟e中，所述的物理氣相傳輸法是將生長壓力控制在0.5-50mbar，生長溫度控制在2000-2300℃，生長時間50-100h。
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