[發(fā)明專利]一種抗靜電的AR膜及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110455297.0
• 申請(qǐng)日: 2021-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112987135A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡業(yè)新;于佩強(qiáng);高毓康;宋尚金
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇日久光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G02B1/11
• 分類號(hào): G02B1/11;G02B1/111;G02B1/16
• 代理公司: 蘇州科仁專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32301
• 代理人: 郭楊

本發(fā)明公開(kāi)了一種抗靜電的AR膜及其制備方法，包括基材層，所述基材層的雙面通過(guò)涂布工藝分別設(shè)有上底涂層和下底涂層，所述上底涂層和下底涂層上通過(guò)涂布工藝分別設(shè)有上IM層和下IM層，所述上IM層上通過(guò)涂布工藝設(shè)有AR樹(shù)脂層，所述AR樹(shù)脂層上通過(guò)磁控濺射工藝鍍?cè)O(shè)有上鍍層，所述上鍍層上貼設(shè)有上CPP保護(hù)膜，所述下IM層上通過(guò)磁控濺射工藝鍍?cè)O(shè)有下鍍層，所述下鍍層上貼設(shè)有下CPP保護(hù)膜，可將基材透過(guò)率從89%提高到99%以上，并且可以廣泛適用于各種PET基材以及玻璃基材上，表面阻抗達(dá)到10+6ohm，抗靜電果佳效。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種抗靜電的AR膜及其制備方法。

背景技術(shù)

目前人們發(fā)現(xiàn)、常用的材料有氟化鎂、二氧化鈦、二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鋯、ZnSe、ZnS陶瓷紅外光紅外增透膜、乙烯基倍半硅氧烷雜化膜等。

由于一般光學(xué)介質(zhì)都是玻璃，并在空氣中使用，那增透膜的折射率應(yīng)接近1.23。現(xiàn)實(shí)中折射率小于氟化鎂（折射率為1.38）的鍍膜材料很少見(jiàn)，而且像氟化鎂那樣很好的滿足各種條件的材料更是稀少。因此，現(xiàn)在一般都用氟化鎂鍍制增透膜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明需要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種抗靜電的AR膜。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種抗靜電的AR膜，一種抗靜電的AR膜，包括基材層，所述基材層的雙面通過(guò)涂布工藝分別設(shè)有上底涂層和下底涂層，所述上底涂層和下底涂層上通過(guò)涂布工藝分別設(shè)有上IM層和下IM層，所述上IM層上通過(guò)涂布工藝設(shè)有AR樹(shù)脂層，所述AR樹(shù)脂層上通過(guò)磁控濺射工藝鍍?cè)O(shè)有上鍍層，所述上鍍層上貼設(shè)有上CPP保護(hù)膜，所述下IM層上通過(guò)磁控濺射工藝鍍?cè)O(shè)有下鍍層，所述下鍍層上貼設(shè)有下CPP保護(hù)膜。

在某些實(shí)施方式中，所述基材層為PET層，PC層或者TAC層，所述基材層的厚度為50um、100um、125um或者188um，透光率在90%以上。

在某些實(shí)施方式中，所述AR樹(shù)脂層的厚度80-90nm，折射率為1.34。

在某些實(shí)施方式中，所述上鍍層為ITO層,AZO層或者ZnO層,阻抗10+6ohm到10+8ohm，厚度為0.5-4nm。

本發(fā)明解決的又一技術(shù)問(wèn)題是提供一種制備抗靜電的AR膜的方法。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種制備抗靜電的AR膜的方法，包括以下步驟：

步驟一：在所述基材層的上表面上通過(guò)涂布工藝涂設(shè)所述上底涂層；

步驟二：在所述基材層的下表面上通過(guò)涂布工藝涂設(shè)所述下底涂層；

步驟三：在所述上底涂層上通過(guò)涂布工藝涂設(shè)所述上IM層；

步驟四：在所述下底涂層上通過(guò)涂布工藝涂設(shè)所述下IM層；

步驟五：在所述上IM層上通過(guò)通過(guò)涂布工藝涂設(shè)所述AR樹(shù)脂層；

步驟六：在所述AR樹(shù)脂層上通過(guò)磁控濺射工藝鍍?cè)O(shè)有上鍍層；

步驟七：在所述上鍍層上貼覆所述上CPP保護(hù)膜；

步驟八：在下IM層上通過(guò)磁控濺射工藝鍍?cè)O(shè)有下鍍層；

步驟九：在所述下鍍層上貼覆所述下CPP保護(hù)膜，制作完成。

本發(fā)明的范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開(kāi)的（但不限于）具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案等。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

（1）本發(fā)明提供的一種抗靜電的AR膜可將基材透過(guò)率從89%提高到99%以上，并且可以廣泛適用于各種PET基材以及玻璃基材上。

（2）本發(fā)明提供的一種抗靜電的AR膜表面阻抗達(dá)到10+6ohm，抗靜電效果佳。