[發明專利]一種抗靜電的AR膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202110455297.0
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN112987135A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 胡業新;于佩強;高毓康;宋尚金
• 申請（專利權）人: 江蘇日久光電股份有限公司
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11;G02B1/111;G02B1/16
• 代理公司: 蘇州科仁專利代理事務所(特殊普通合伙) 32301
• 代理人: 郭楊

1.一種抗靜電的AR膜，包括基材層（10），其特征在于：所述基材層（10）的雙面通過涂布工藝分別設有上底涂層（11）和下底涂層（16），所述上底涂層（11）和下底涂層（16）上通過涂布工藝分別設有上IM層（12）和下IM層（17），所述上IM層（12）上通過涂布工藝設有AR樹脂層（13），所述AR樹脂層（13）上通過磁控濺射工藝鍍設有上鍍層（14），所述上鍍層（14）上貼設有上CPP保護膜（15），所述下IM層（17）上通過磁控濺射工藝鍍設有下鍍層（18），所述下鍍層（18）上貼設有下CPP保護膜（19）。

2.根據權利要求1所述的一種抗靜電的AR膜，其特征在于：所述基材層（10）為PET層，PC層或者TAC層，所述基材層（10）的厚度為50um、100um、125um或者188um，透光率在90%以上。

3.根據權利要求1所述的一種抗靜電的AR膜，其特征在于：所述AR樹脂層（13）的厚度80-90nm，折射率為1.34。

4.根據權利要求1所述的一種抗靜電的AR膜，其特征在于：所述上鍍層（14）為ITO層,AZO層或者ZnO層,阻抗10+6ohm到10+8ohm，厚度為0.5-4nm。

5.一種制備權利要求1-4所述一種抗靜電的AR膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：在所述基材層（10）的上表面上通過涂布工藝涂設所述上底涂層（11）；

步驟二：在所述基材層（10）的下表面上通過涂布工藝涂設所述下底涂層（16）；

步驟三：在所述上底涂層（11）上通過涂布工藝涂設所述上IM層（12）；

步驟四：在所述下底涂層（16）上通過涂布工藝涂設所述下IM層（17）；

步驟五：在所述上IM層（12）上通過通過涂布工藝涂設所述AR樹脂層（13）；

步驟六：在所述AR樹脂層（13）上通過磁控濺射工藝鍍設有上鍍層（14）；

步驟七：在所述上鍍層（14）上貼覆所述上CPP保護膜（15）；

步驟八：在下IM層（17）上通過磁控濺射工藝鍍設有下鍍層（18）；

步驟九：在所述下鍍層（18）上貼覆所述下CPP保護膜（19），制作完成。