[發(fā)明專利]一種具有多層結(jié)構(gòu)的掩膜板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110455191.0 | 申請日: | 2021-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN113186490A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 茆勝 | 申請(專利權(quán))人: | 睿馨(珠海)投資發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海洞鑒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 劉少偉 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市橫琴新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 多層 結(jié)構(gòu) 掩膜板 | ||
本發(fā)明涉及一種具有多層結(jié)構(gòu)的掩膜板,所述掩膜板包括至少兩層,并且具有至少一個開口;第一掩膜層與基板的距離小于第二掩膜層與基板的距離;所述第一掩膜層的開口橫截面小于第二掩膜層的開口橫截面;這樣蒸發(fā)的材料通過所述第二掩膜層進(jìn)入所述第一掩膜層,最后沉積在所述基板上。有益效果是:本發(fā)明的掩膜板采用開口的入口大于出口的設(shè)計(jì),能夠有效減少蒸發(fā)材料的陰影效果;該掩膜板由于開口的設(shè)計(jì),使得第二掩膜層可以做的比較厚,能夠有效支撐第一掩膜層,所以能克服現(xiàn)有掩膜板的脆弱性和下垂問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及材料掩膜圖案化沉積技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種具有多層結(jié)構(gòu)的掩膜板。
背景技術(shù)
現(xiàn)代技術(shù)和應(yīng)用需要越來越高的分辨率的有機(jī)發(fā)光微型顯示器,來顯示越來越小的亞像素尺寸,最短尺寸已經(jīng)小于3.5微米,迅速接近2微米,甚至亞像素之間距離小于1微米。而在有機(jī)發(fā)光微型顯示器蒸鍍工藝中超高分辨率掩膜的結(jié)構(gòu)用于對單個亞像素進(jìn)行圖案化工藝,從而使顯示器實(shí)現(xiàn)RGB獨(dú)立像素發(fā)光顯示。由于對圖案化工藝精度的要求,掩膜的結(jié)構(gòu)需要使用極薄的掩膜結(jié)構(gòu)。這樣掩膜的結(jié)構(gòu)非常脆弱,并且可能會下垂,使其在蒸鍍工藝中的使用和保存以及掩膜制造工藝都具有相當(dāng)?shù)碾y度。
在蒸鍍工藝中,掩膜是具有完全圖案特征的金屬材料加工的極薄材料片,通常放置在基板和蒸發(fā)源之間,蒸發(fā)材料通過在掩模的開口被沉積到基板上,其形狀基本上由掩模開口限定。最終在基板上形成圖案化圖形。如圖3所示,掩膜在像素邊緣處的沉積材料的阻塞導(dǎo)致形成梯形像素橫截面輪廓。隨著像素尺寸和像素間距的減小以允許高分辨率和高性能顯示,這個陰影區(qū)域開始延伸到OLED結(jié)構(gòu),使得OLED層的厚度在子像素上不均勻。掩膜和基板之間的距離越遠(yuǎn),形成的陰影效應(yīng)越嚴(yán)重。這反過來又會導(dǎo)致發(fā)光不均勻、性能降低和顯示器壽命縮短。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有多層結(jié)構(gòu)的掩膜板,以解決現(xiàn)有技術(shù)中沉積過程中的陰影問題。
本發(fā)明還解決了現(xiàn)有掩膜結(jié)構(gòu)脆弱以及下垂的問題。
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
一種具有多層結(jié)構(gòu)的掩膜板,所述掩膜板包括至少兩層,并且具有至少一個開口;
其中,第一掩膜層與基板的距離小于第二掩膜層與基板的距離;
所述第一掩膜層的開口橫截面小于第二掩膜層的開口橫截面;這樣蒸發(fā)的材料通過所述第二掩膜層進(jìn)入所述第一掩膜層,最后沉積在所述基板上。
在一些實(shí)施例中,所述第一掩膜層的圖形與所述第二掩膜層的圖形相似。
在一些實(shí)施例中,所述第二掩膜層的開口橫截面為錐形。
在一些實(shí)施例中,所述第二掩膜層的開口橫截面與所述第一掩膜層的開口橫截面形成階梯形。
在一些實(shí)施例中,所述第二掩膜層的厚度大于所述第一掩膜層的厚度,所述第二掩膜層為支撐層。
在一些實(shí)施例中,所述第二掩膜層的厚度為50~200μm
在一些實(shí)施例中,所述第一掩膜層的厚度為1~20μm。
本發(fā)明具有的有益效果是:
(1)本發(fā)明的掩膜板采用開口的入口大于出口的設(shè)計(jì),能夠有效減少蒸發(fā)材料的陰影效果;
(2)該掩膜板由于開口的設(shè)計(jì),使得第二掩膜層可以做的比較厚,能夠有效支撐第一掩膜層,所以能克服現(xiàn)有掩膜板的脆弱性和下垂問題;
(3)本發(fā)明采用漸變、梯形、階梯狀的橫截面開口,可使有機(jī)材料有更大通量達(dá)到基底,節(jié)約材料,降低成本,適于工業(yè)化應(yīng)用。
附圖說明
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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