[發明專利]一種有機發光二極管器件的封裝結構、顯示裝置及其封裝方法在審
| 申請號： | 202110455127.2 | 申請日： | 2021-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN113193146A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 茆勝 | 申請（專利權）人： | 睿馨（珠海）投資發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 劉少偉 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市橫琴新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 有機 發光二極管 器件 封裝 結構 顯示裝置 及其 方法 | ||
1.一種有機發光二極管器件的封裝結構，其特征在于，包括：
基板，設置有有機發光二極管器件；
第一ALD層、第一無機介電層、第二ALD層，所述第一ALD層設置在所述基板上，所述第一無機介電層設置在所述第一ALD層上，所述第二ALD層設置在所述第一無機介電層上；所述第一ALD層、第一無機介電層、第二ALD層為一組封裝；
所述第一ALD層、第二ALD層由鋁、鉿、鈦，鋯、硅的氧化物或者氮化物構成；
所述第一無機介電層由金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物通過濺射方式形成。
2.根據權利要求1所述的一種有機發光二極管器件的封裝結構，其特征在于，在一些實施例中，所述第一ALD層、第二ALD層均為A12O3層。
3.根據權利要求1所述的一種有機發光二極管器件的封裝結構，其特征在于，所述第一無機介電層為SiO2層。
4.根據權利要求1所述的一種有機發光二極管器件的封裝結構，其特征在于，所述一組封裝大于等于2。
5.根據權利要求1所述的一種有機發光二極管器件的封裝結構，其特征在于，所述一組封裝中進行應力補償。
6.根據權利要求1所述的一種有機發光二極管器件的封裝結構，其特征在于，所述第一ALD層具有拉應力，所述第一無機介電層具有壓應力。
7.根據權利要求1所述的一種有機發光二極管器件的封裝結構，其特征在于，第一ALD層、第一無機介電層、第二ALD層均是透明的、無機的和介電的。
8.一種有機發光二極管器件顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-7任一權利要求所述的有機發光二極管器件的封裝結構。
9.一種有機發光二極管器件的封裝方法，其特征在于，包括：
提供設置有有機發光二極管器件的基底；
在所述基底上通過原子層沉積形成第一ALD層；
在所述第一ALD層上通過濺射形成第一無機介電層；
在所述第一無機介電層上通過原子層沉積形成第二ALD層，即得封裝結構。
10.根據權利要求9所述的一種有機發光二極管器件的封裝方法，其特征在于，在所述第二ALD層上通過原子層沉積形成第三ALD層，在所述第三ALD層上通過濺射形成第二無機介電層；在所述第二無機介電層上通過原子層沉積形成第三ALD層；該過程重復N次，所述N大于等于1。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
