[發(fā)明專利]一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110453565.5 | 申請日: | 2021-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN113193145A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 茆勝 | 申請(專利權(quán))人: | 睿馨(珠海)投資發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海洞鑒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 劉少偉 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市橫琴新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及顯示裝置,其中,封裝結(jié)構(gòu)包括:一種封裝結(jié)構(gòu),用以對有機發(fā)光器件的密封保護,包括:在所述有機發(fā)光器件的表面自下而上依次設(shè)置的第一阻隔層、緩沖層、活性層、以及第二阻隔層;其中,所述第一阻隔層和第二阻隔層采用原子沉積方式形成的氮氧化物或氧化物;所述緩沖層覆蓋于所述第一阻隔層的表面,采用化學(xué)氣相沉積形成的高分子層,以補償所述第一阻隔層表面針孔缺陷;所述活性層采用原子層沉積形成的具有活性的不完全氧化物層,以補償所述第二阻隔層的針孔缺陷。有益效果是:具有低失效率,低于現(xiàn)有技術(shù)中阻隔層缺陷導(dǎo)致的失效的,同時具有高透過率,高效保護有機發(fā)光層被水氧透過侵蝕的特點。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及顯示裝置。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的對有機發(fā)光器件的有機發(fā)光層保護的方式通常有兩種。其中一種是將特定的干燥劑(例如CaO或BaO)和有機發(fā)光層在特定的氛圍條件(例如惰性氣體或真空條件)下采用特定的封裝方式(例如環(huán)氧樹脂粘合或激光鍵合),把玻璃蓋板和基底密封在一起。該方法的缺陷也是顯而易見的,干燥劑失效,玻璃蓋片不可彎曲,封裝過程不可逆,體積偏大等。另外一種是用無機層(通常是氧化物)和有機層形成疊層結(jié)構(gòu),無機層可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)或者原子層沉積(ALD)等方式制備,而有機層可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD),噴墨打印或者旋涂等方式制備。該方法的缺陷是實施多個無機/有機疊層的制備時間較長,同時多個無機/有機疊層造成光透過率降低。
因此,本發(fā)明提出了一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及顯示裝置,旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點,提供具有低失效率(低于現(xiàn)有技術(shù)中阻隔層缺陷導(dǎo)致的失效)的薄膜封裝結(jié)構(gòu),同時具有高透過率(透光率大于或等于90%),高效保護有機發(fā)光層被水氧透過侵蝕的特點。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及顯示裝置,實現(xiàn)對基底有機發(fā)光器件的密封保護。
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
一種封裝結(jié)構(gòu),用以對有機發(fā)光器件的密封保護,包括:在所述有機發(fā)光器件的表面自下而上依次設(shè)置的第一阻隔層、緩沖層、活性層、以及第二阻隔層;其中,所述第一阻隔層和第二阻隔層采用原子沉積方式形成的氮氧化物或氧化物;
所述緩沖層覆蓋于所述第一阻隔層的表面,采用化學(xué)氣相沉積形成的高分子層,以補償所述第一阻隔層表面針孔缺陷;
所述活性層采用原子層沉積形成的具有活性的不完全氧化物層,以補償所述第二阻隔層的針孔缺陷。
在一些實施例中,所述緩沖層的材料為聚合物,優(yōu)選的,所述緩沖層的材料為聚對二甲苯。
在一些實施例中,所述第一阻隔層和第二阻隔層的氧化物包括Al2O3(氧化鋁),SiO2(氧化硅),TiO2(氧化鈦)中的任意一種氧化物。
在一些實施例中,所述第一阻隔層和第二阻隔層的氮氧化物包括SiNxOy(氮氧化硅),其中,x0,0y2。
在一些實施例中,所述不完全氧化物層包括SiOx(其中0.8x2)、MoOx(其中0<x<3)中的任意一種氧化物。
在一些實施例中,在所述第二阻隔層的表面還設(shè)有保護層,所述保護層采用剛性材料,以減少機械沖擊的損害。進一步的,所述保護層為玻璃蓋片。
另一方面,
本發(fā)明還提供了一種封裝方法,包括以下步驟:
S1在有機發(fā)光器件通過ALD(原子層沉積)方式形成第一阻隔層;
S2在所述第一阻隔層上通過CVD(化學(xué)氣相沉積)方式沉積形成緩沖層;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于睿馨(珠海)投資發(fā)展有限公司,未經(jīng)睿馨(珠海)投資發(fā)展有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110453565.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





